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销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：2个PNP-预偏置(发射极耦合)
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：2个PNP-预偏置(发射极耦合)
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：08+
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：100mW
晶体管类型：2个PNP-预偏置(发射极耦合)
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"19+"：12000}
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包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@1mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：100mW
晶体管类型：2个PNP-预偏置(发射极耦合)
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：08+
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
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功率：300mW
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分类：数字晶体管
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
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晶体管类型：2个PNP-预偏置(发射极耦合)
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
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生产批次：{"19+"：12000}
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ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：120@1mA，5V
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品牌：ROHM
分类：数字晶体管
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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晶体管类型：2个PNP-预偏置(发射极耦合)
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
晶体管类型：2个PNP-预偏置(发射极耦合)
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
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生产批次：08+
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@10mA，5V
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
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晶体管类型：2个PNP-预偏置(发射极耦合)
包装清单：商品主体 * 1
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