采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
输入电容：6pF@5V
功率：400mW
栅源击穿电压：25V
栅源截止电压：1.8V@100µA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：20mA@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：P通道
ECCN：EAR99
输入电容：105pF@10V
功率：400mW
栅源击穿电压：25V
栅源截止电压：150mV@0.1µA
工作温度：-55℃~135℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：2.6mA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：2N-通道（双）
ECCN：EAR99
输入电容：25pF@10V
功率：400mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：300mV@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：2.6mA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：20pF@15V
功率：400mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：200mV@1nA
工作温度：-55℃~135℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：6mA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@20mA，5V€150@500mA，5V
集电极电流(Ic)：700mA€100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V€60V
功率：400mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：6pF@5V
功率：400mW
栅源击穿电压：25V
栅源截止电压：1.8V@100µA
工作温度：150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：20mA@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：2N-通道（双）
ECCN：EAR99
输入电容：25pF@10V
功率：400mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：300mV@0.1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：17mA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
输入电容：6pF@5V
功率：400mW
栅源击穿电压：25V
栅源截止电压：600mV@100µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：20mA@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：20pF@15V
功率：400mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：200mV@1nA
工作温度：-55℃~135℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：6mA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：2N-通道（双）
ECCN：EAR99
输入电容：25pF@10V
功率：400mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：300mV@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：6mA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：220@500mA，2V€30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA€1A
集射极击穿电压(Vceo)：50V€20V
功率：400mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：20pF@15V
功率：400mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：200mV@1nA
工作温度：-55℃~135℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：2.6mA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：400mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
类型：2N-通道（双）
ECCN：EAR99
输入电容：25pF@10V
功率：400mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：300mV@100nA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：管件
漏源饱和电流：6mA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：400mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：220@500mA，2V€30@5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA€1A
集射极击穿电压(Vceo)：50V€20V
功率：400mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
输入电容：6pF@5V
功率：400mW
栅源击穿电压：25V
栅源截止电压：600mV@100µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：20mA@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：400mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：20pF@15V
功率：400mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：200mV@1nA
工作温度：-55℃~135℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：6mA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"16+"：2508，"18+"：135000}
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@20mA，5V€150@500mA，5V
集电极电流(Ic)：700mA€100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V€60V
功率：400mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
输入电容：6pF@5V
功率：400mW
栅源击穿电压：25V
栅源截止电压：600mV@100µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：20mA@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"17+"：45000，"21+"：30000}
销售单位：个
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：150@500mA，5V€60@5mA，5V
集电极电流(Ic)：700mA€100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V€60V
功率：400mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
类型：2N-通道（双）
ECCN：EAR99
输入电容：25pF@10V
功率：400mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：300mV@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：散装
漏源饱和电流：2.6mA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"11+"：6000}
销售单位：个
漏源导通电阻：30Ω
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：6pF@10V
功率：400mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：10V@1µA
工作温度：150℃
包装方式：带盒（TB）
漏源饱和电流：20mA@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：400mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：400mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@1mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：400mW
晶体管类型：NPN-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：6pF@5V
功率：400mW
栅源击穿电压：25V
栅源截止电压：600mV@100µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：20mA@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
销售单位：个
类型：2N-通道（双）
ECCN：EAR99
输入电容：25pF@10V
功率：400mW
栅源击穿电压：40V
栅源截止电压：300mV@1µA
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
漏源饱和电流：6mA@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV@300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10kΩ
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：400mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装清单：商品主体 * 1
库存：
