采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"22+"：8000}
销售单位：个
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：500mW
晶体管类型：2个NPN-预偏置
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS126H6327XTSA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.6V@8µA
栅极电荷：2.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28pF@25V
连续漏极电流：21mA
类型：N沟道
导通电阻：500Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8812DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS308PEH6327
功率：500mW
阈值电压：2V@11μA
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@10V，2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN335N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS119NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.3V@13µA
栅极电荷：0.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20.9pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@190mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J213FE(TE85L，F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：4.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：103mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8802DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J135TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：103mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3438_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.95nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：1.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：54000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL207NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@11µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：419pF@10V
连续漏极电流：2.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：70mΩ@2.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：22095}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS340NWH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@1.6µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@15V
连续漏极电流：880mA
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@880mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS332P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@4.5V，1.1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDT290UCE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@10V
连续漏极电流：800mA€550mA
类型：N和P沟道
导通电阻：380mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS4141NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@24V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD13385F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：674pF@6V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D4SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：1.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN304PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@10V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SD5401CY SOIC 14L ROHS
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@1µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：50mA
类型：4个N通道
导通电阻：75Ω@1mA，5V
漏源电压：10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS306NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@11µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@2.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Linear Integrated Systems
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SD5401CY SOIC 14L ROHS
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@1µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：50mA
类型：4个N通道
导通电阻：75Ω@1mA，5V
漏源电压：10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8821EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ALD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ALD910026SAL
工作温度：0℃~+70℃
功率：500mW
阈值电压：2.62V
包装方式：Tube
连续漏极电流：80mA
类型：MOSFET
导通电阻：2.6MΩ
漏源电压：10.6V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2900UVQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：49pF@16V
连续漏极电流：850mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS352AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N40TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.6V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@15V
连续漏极电流：1.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：122mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR202N L6327
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@30µA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：Reel
输入电容：1147pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX1029X，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：330mA€170mA
类型：N和P沟道
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V€50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"04+"：44000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 5mA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：1千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：3 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：1千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：500mW
晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
