采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMGD7N45SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.64W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：256pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4Ω@400mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3438_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.95nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB950UPELYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170-D26Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170-D74Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：942}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP298H6327XUSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA138K_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSN20Q-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW€920mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN53D0LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K36FS，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.23nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：630mΩ@200mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSN20Q-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW€920mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD401ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：P沟道
导通电阻：1.573Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6303N
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD15380F3
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.35V@2.5µA
栅极电荷：0.281nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10.5pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1190mΩ@100mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF170
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ950UPEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF170
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD401ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：P沟道
导通电阻：1.573Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF170LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF170Q-13-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N24TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：245pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：145mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF170
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE8405_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.3V@250μA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
输入电容：137pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：1个P沟道
导通电阻：390mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4424GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.8V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：5.5Ω@500mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD412ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：0.71nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21pF@6V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1012R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：0.75nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ950UPEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1012X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：0.75nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSN20Q-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW€920mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N43FU，LF
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：630mΩ@200mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
