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    功率: 700mW
    当前匹配商品:3500+
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    ROHM Mosfet场效应管 RW1C026ZPT2CR 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RW1C026ZPT2CR 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RW1C026ZPT2CR

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6420C 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6420C 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6420C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:324pF@10V

    连续漏极电流:3A€2.2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:70mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF 起订5个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF 起订5个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@12V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2053UVT-13 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2053UVT-13 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2053UVT-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:369pF@10V€440pF@10V

    连续漏极电流:4.6A€3.2A

    类型:N和P沟道互补型

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1028NZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1028NZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1028NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA3023PZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA3023PZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA3023PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@15V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:90mΩ@2.9A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1024NZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1024NZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1024NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:54mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4210ASTZ 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN4210ASTZ 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN4210ASTZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:带盒(TB)

    输入电容:100pF@25V

    连续漏极电流:450mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6303N 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6303N 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6303N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:680mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDC7002N 起订11个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDC7002N 起订11个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDC7002N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@25V

    连续漏极电流:510mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2Ω@510mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6140L-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6140L-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6140L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@40V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3413L-7 起订38个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3413L-7 起订38个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3413L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:857pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:95mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1025P 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1025P 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1025P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:450pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:155mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2025UFDF-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2025UFDF-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2025UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:486pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5A040ZPTL 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5A040ZPTL 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5A040ZPTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@6V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6310P 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6310P 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6310P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:337pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:125mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2025UFDBQ-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2025UFDBQ-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2025UFDBQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA€1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:486pF@10V€642pF@10V

    连续漏极电流:6A€3.5A

    类型:N和P沟道互补型

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1028NZ-F021 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1028NZ-F021 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1028NZ-F021

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1029PZ 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1029PZ 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1029PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:95mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS2103PTBG 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS2103PTBG 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS2103PTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1157pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3068L-7 起订43个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3068L-7 起订43个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3068L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:15.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:708pF@15V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:72mΩ@4.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3113PTAG 起订1952个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3113PTAG 起订1952个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":56140}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS3113PTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1329pF@16V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-E3 起订12个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-E3 起订12个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@6V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6401N 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6401N 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6401N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:324pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:70mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6306P 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6306P 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6306P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:441pF@10V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:170mΩ@1.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 ES6U1T2R 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 ES6U1T2R 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ES6U1T2R

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:2.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@6V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:260mΩ@1.3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF 起订5个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J216FE,LF 起订5个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J216FE,LF

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@12V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3300UQ-7 起订20个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3300UQ-7 起订20个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3300UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:193pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2106ASTZ 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2106ASTZ 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN2106ASTZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:75pF@18V

    连续漏极电流:450mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDC6312P 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6312P 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6312P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:467pF@10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:115mΩ@2.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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