品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ1C075UNTR
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:18nC@4.5V
输入电容:1.4nF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:16mΩ@4.5V,7.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:18nC@4.5V
输入电容:1.4nF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:16mΩ@4.5V,7.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):RQ1C075UNTR
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功率:700mW
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栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
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阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:18nC@4.5V
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输入电容:1400pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
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栅极电荷:18nC@4.5V
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连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@7.5A,4.5V
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类型:1个N沟道
导通电阻:16mΩ@4.5V,7.5A
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连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@7.5A,4.5V
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类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@7.5A,4.5V
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