品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA3023PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@15V
连续漏极电流:2.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:90mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3068L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:15.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:708pF@15V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:72mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3300UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:193pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6333C
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:282pF@15V
连续漏极电流:2.5A€2A
类型:N和P沟道
导通电阻:95mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3300U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:193pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR025N03HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:4.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:165pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3051L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@5V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6333C
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:282pF@15V
连续漏极电流:2.5A€2A
类型:N和P沟道
导通电阻:95mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6333C
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:282pF@15V
连续漏极电流:2.5A€2A
类型:N和P沟道
导通电阻:95mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6561AN
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:95mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS4114NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3130L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:432pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:77mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3020LFDB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:393pF@15V
连续漏极电流:7.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6561AN
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:95mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3300U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:193pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6333C
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:282pF@15V
连续漏极电流:2.5A€2A
类型:N和P沟道
导通电阻:95mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3071LVT-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@15V€254pF@15V
连续漏极电流:4.6A€3.3A
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E015RPTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:3.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR040N03HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR040N03HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E015RPTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:3.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3130L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:432pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:77mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E040TNTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:8.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@4A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3130L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:432pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:77mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT3020LFDB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:393pF@15V
连续漏极电流:7.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E020SPTL
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:4.3nC@5V
输入电容:370pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:1个P沟道
导通电阻:120mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3130LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:77mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E035XNTCL
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:3.3nC@5V
输入电容:180pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RW1E025RPT2CR
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:5.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR025P03HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:98mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: