品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3110S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305.8pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:73mΩ@3.1mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2206N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:3.5V@10mA
包装方式:袋
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:640mA
类型:P沟道
导通电阻:900mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3110S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305.8pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:73mΩ@3.1mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2104N3-G-P003
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:175mA
类型:P沟道
导通电阻:6Ω@500mA,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN2106N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:袋
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3420UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434.7pF@10V
连续漏极电流:5.47A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3420UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434.7pF@10V
连续漏极电流:5.47A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1054UCB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:908pF@6V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2530N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
包装方式:袋
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:175mA
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@150mA,0V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP3203N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:3.5V@10mA
包装方式:袋
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:650mA
类型:P沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3110S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305.8pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:73mΩ@3.1mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3420U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434.7pF@10V
连续漏极电流:5.47A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2104N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:175mA
类型:P沟道
导通电阻:6Ω@500mA,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3420U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434.7pF@10V
连续漏极电流:5.47A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3420U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434.7pF@10V
连续漏极电流:5.47A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3420U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434.7pF@10V
连续漏极电流:5.47A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2206N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:3.5V@10mA
包装方式:袋
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:640mA
类型:P沟道
导通电阻:900mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3110S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305.8pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:73mΩ@3.1mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2206N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:3.5V@10mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:640mA
类型:P沟道
导通电阻:900mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2035UFCL-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:44nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@10V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:24mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2206N3-G-P003
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:3.5V@10mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:640mA
类型:P沟道
导通电阻:900mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND150N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:10pF@25V
连续漏极电流:30mA
类型:N沟道
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2206N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:3.5V@10mA
包装方式:袋
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:640mA
类型:P沟道
导通电阻:900mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LND150N3-G-P003
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10pF@25V
连续漏极电流:30mA
类型:N沟道
导通电阻:1000Ω@500µA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN5325N3-G
功率:740mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:袋
输入电容:110pF@25V
连续漏极电流:215mA
类型:N沟道
导通电阻:7Ω@1A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP2104N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:175mA
类型:P沟道
导通电阻:6Ω@500mA,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2035UFCL-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:44nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@10V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:24mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN2530N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
包装方式:袋
输入电容:300pF@25V
连续漏极电流:175mA
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@150mA,0V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN3545N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:136mA
类型:N沟道
导通电阻:20Ω@150mA,0V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP0604N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:袋
输入电容:150pF@20V
连续漏极电流:430mA
类型:P沟道
导通电阻:2Ω@1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: