采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2206N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
包装方式：袋
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：640mA
类型：P沟道
导通电阻：900mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2104N3-G-P003
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：175mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2106N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3420UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434.7pF@10V
连续漏极电流：5.47A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3420UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434.7pF@10V
连续漏极电流：5.47A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1054UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：908pF@6V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2530N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：175mA
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@150mA，0V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP3203N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：650mA
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3420U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434.7pF@10V
连续漏极电流：5.47A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2104N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：175mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3420U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434.7pF@10V
连续漏极电流：5.47A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3420U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434.7pF@10V
连续漏极电流：5.47A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3420U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434.7pF@10V
连续漏极电流：5.47A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2206N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
包装方式：袋
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：640mA
类型：P沟道
导通电阻：900mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3110S-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305.8pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@3.1mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2206N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：640mA
类型：P沟道
导通电阻：900mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035UFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2206N3-G-P003
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：640mA
类型：P沟道
导通电阻：900mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2206N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
包装方式：袋
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：640mA
类型：P沟道
导通电阻：900mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150N3-G-P003
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2104N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：175mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035UFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2530N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：175mA
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@150mA，0V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3545N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：136mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@150mA，0V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0604N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@20V
连续漏极电流：430mA
类型：P沟道
导通电阻：2Ω@1A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
包装方式：袋
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
