品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA24N40F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:235W
阈值电压:3V
栅极电荷:60nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:23A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA24N40F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:235W
阈值电压:3V
栅极电荷:60nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:23A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N04S4L-04
工作温度:-55℃~+175℃
功率:71W
阈值电压:1.2V
栅极电荷:60nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:90A
类型:MOSFET
导通电阻:3.2mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT15GP90BDQ1G
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):60A
关断延迟时间:33ns
关断损耗:200µJ
开启延迟时间:9ns
集电极截止电流(Ices):900V
栅极电荷:60nC
类型:PT
集电极电流(Ic):3.9V@15V,15A
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):7000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB70N10S3L-12
工作温度:-55℃~+175℃
功率:125W
阈值电压:1.7V
栅极电荷:60nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:70A
类型:MOSFET
导通电阻:12mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):7000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB70N10S3L-12
工作温度:-55℃~+175℃
功率:125W
阈值电压:1.7V
栅极电荷:60nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:70A
类型:MOSFET
导通电阻:12mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK60S10N1L,LXHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:180W
阈值电压:3.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:60A
类型:MOSFET
导通电阻:6.11mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA24N40F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:235W
阈值电压:3V
栅极电荷:60nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:23A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA24N40F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:235W
阈值电压:3V
栅极电荷:60nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:23A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA24N40F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:235W
阈值电压:3V
栅极电荷:60nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:23A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA24N40F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:235W
阈值电压:3V
栅极电荷:60nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:23A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA24N40F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:235W
阈值电压:3V
栅极电荷:60nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:23A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA24N40F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:235W
阈值电压:3V
栅极电荷:60nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:23A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT15GP90BDQ1G
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):60A
关断延迟时间:33ns
关断损耗:200µJ
开启延迟时间:9ns
集电极截止电流(Ices):900V
栅极电荷:60nC
类型:PT
集电极电流(Ic):3.9V@15V,15A
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT15GP90BDQ1G
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):60A
关断延迟时间:33ns
关断损耗:200µJ
开启延迟时间:9ns
集电极截止电流(Ices):900V
栅极电荷:60nC
类型:PT
集电极电流(Ic):3.9V@15V,15A
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):7000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB70N10S3L-12
工作温度:-55℃~+175℃
功率:125W
阈值电压:1.7V
栅极电荷:60nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:70A
类型:MOSFET
导通电阻:12mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK60S10N1L,LXHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:180W
阈值电压:3.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:60A
类型:MOSFET
导通电阻:6.11mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP24N80AEF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:208W
阈值电压:4V
栅极电荷:60nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:20A
类型:MOSFET
导通电阻:170mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP24N80AEF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:208W
阈值电压:4V
栅极电荷:60nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:20A
类型:MOSFET
导通电阻:170mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):7000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB70N10S3L-12
工作温度:-55℃~+175℃
功率:125W
阈值电压:1.7V
栅极电荷:60nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:70A
类型:MOSFET
导通电阻:12mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK60S10N1L,LXHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:180W
阈值电压:3.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:60A
类型:MOSFET
导通电阻:6.11mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK60S10N1L,LXHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:180W
阈值电压:3.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:60A
类型:MOSFET
导通电阻:6.11mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MASPOWER
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MS9N150HGC0
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:60nC
输入电容:3.15nF
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
反向传输电容:25pF
导通电阻:2.2Ω@10V,4A
漏源电压:1.5kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA24N40F
阈值电压:3V
栅极电荷:60nC
连续漏极电流:23A
导通电阻:190mΩ
包装方式:Tube
工作温度:-55℃~+150℃
功率:235W
类型:MOSFET
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):7000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB70N10S3L-12
栅极电荷:60nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:70A
阈值电压:1.7V
功率:125W
工作温度:-55℃~+175℃
导通电阻:12mΩ
漏源电压:100V
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK60S10N1L,LXHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:180W
阈值电压:3.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:60A
类型:MOSFET
导通电阻:6.11mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MASPOWER
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MS9N150HGC0
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:60nC
输入电容:3.15nF
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
反向传输电容:25pF
导通电阻:2.2Ω@10V,4A
漏源电压:1.5kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MASPOWER
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MS9N150HGC0
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:60nC
输入电容:3.15nF
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
反向传输电容:25pF
导通电阻:2.2Ω@10V,4A
漏源电压:1.5kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK25A20D,S5X
工作温度:-55℃~+150℃
功率:45W
阈值电压:1.5V
栅极电荷:60nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:25A
类型:MOSFET
导通电阻:70mΩ
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA24N40F
工作温度:-55℃~+150℃
功率:235W
阈值电压:3V
栅极电荷:60nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:23A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存: