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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB15XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：100nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2875pF@6V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：EPC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EPC2252
工作温度：-40℃~150℃
阈值电压：2.5V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：576pF@50V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@11A，5V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423DQ-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：800mV@400µA
栅极电荷：110nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1872pF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD08P06-155L-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€20.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@5V
输入电容：1872pF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：EPC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EPC2252
工作温度：-40℃~150℃
阈值电压：2.5V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：576pF@50V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@11A，5V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1872pF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB15XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：100nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2875pF@6V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB15XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2875pF@6V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB15XPAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：100nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2875pF@6V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423DQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：800mV@400µA
栅极电荷：110nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423DQ-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：800mV@400µA
栅极电荷：110nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1872pF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB15XPH
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2875pF@6V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：EPC2052
工作温度：-40℃~150℃
阈值电压：2.5V@3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：575pF@50V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@11A，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1872pF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：EPC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EPC2252
工作温度：-40℃~150℃
阈值电压：2.5V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：576pF@50V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@11A，5V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1872pF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1872pF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4685
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1872pF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFTS8342TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.35V@25µA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@8.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6423DQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：800mV@400µA
栅极电荷：110nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@9.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：27nC@5V
输入电容：1.872nF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：27mΩ@10V，8.2A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
