品牌:EPC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EPC2252
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:2.5V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:576pF@50V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@11A,5V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:EPC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EPC2252
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:2.5V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:576pF@50V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@11A,5V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFTS8342TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.35V@25µA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@25V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@8.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFTS8342TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.35V@25µA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@25V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@8.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFTS8342TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.35V@25µA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@25V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@8.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):EPC2052
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:2.5V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:575pF@50V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@11A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C10NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW€23.6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:987pF@15V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:6.95mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:EPC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EPC2252
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:2.5V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:576pF@50V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@11A,5V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C10NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW€23.6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:987pF@15V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:6.95mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFTS8342TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.35V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@25V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@8.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFTS8342TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.35V@25µA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@25V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@8.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFTS8342TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.35V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@25V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@8.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFTS8342TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.35V@25µA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@25V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@8.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":689,"21+":55972,"MI+":10500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C10NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW€23.6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:987pF@15V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:6.95mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":219194,"20+":4480,"23+":1500,"MI+":30905}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C10NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW€23.6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:987pF@15V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:6.95mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR010PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@4.6A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFTS8342TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.35V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@25V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@8.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR010PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@4.6A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFTS8342TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.35V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@25V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@8.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR010PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@4.6A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFTS8342TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.35V@25µA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@25V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@8.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C10NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW€23.6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:987pF@15V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:6.95mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFTS8342TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.35V@25µA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@25V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@8.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:EPC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EPC2252
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:2.5V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:576pF@50V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@11A,5V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):EPC2052
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:2.5V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:575pF@50V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@11A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":17400,"17+":3075}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD60N550U1-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:94W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:540pF@50V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD60N550U1-1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:94W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:540pF@50V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCQ4438-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@30V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@7.9A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C10NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW€23.6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:987pF@15V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:6.95mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":219194,"20+":4480,"23+":1500,"MI+":30905}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C10NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW€23.6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:987pF@15V
连续漏极电流:8.2A
类型:N沟道
导通电阻:6.95mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: