采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA447DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：850mV@250µA
栅极电荷：80nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@6V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：13.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA441DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@4.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA468DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@15V
连续漏极电流：37.8A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK4D16-20X
工作温度：-55℃~+175℃
功率：19W
阈值电压：1.3V
栅极电荷：15nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：26A
类型：MOSFET
导通电阻：16mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA447DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：850mV@250µA
栅极电荷：80nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@6V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：13.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA427ADJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@4V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：50}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MRF6S19120HR5
功率：19W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA447DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@6V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：13.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA441DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@4.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA427ADJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@4V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA468DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@15V
连续漏极电流：37.8A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA427ADJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@4V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA427ADJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@4V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA468DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@15V
连续漏极电流：37.8A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA427ADJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@4V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA447DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：850mV@250µA
栅极电荷：80nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@6V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：13.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA441DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@4.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA447DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@6V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：13.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA447DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：850mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@6V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：13.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA441DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@4.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA447DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：850mV@250µA
栅极电荷：80nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2880pF@6V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：13.5mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN6R303NC，LQ(S
功率：19W
阈值电压：2.3V@200μA
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.3mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA427ADJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@4V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA441DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@4.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA441DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@4.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN6R303NC，LQ(S
功率：19W
阈值电压：2.3V@200μA
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.3mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA445EDJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16.7mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA427ADJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@4V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
