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    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L040N120M3S 起订40个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L040N120M3S 起订40个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":12150}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L040N120M3S

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:231W

    阈值电压:4.4V@10mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:1700pF@800V

    连续漏极电流:54A

    类型:N沟道

    导通电阻:54mΩ@20A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDI030N06 起订59个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDI030N06 起订59个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":893}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDI030N06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:231W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:151nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9815pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP030N06 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP030N06 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP030N06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:231W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:151nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9815pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF2903ZSTRL 起订121个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF2903ZSTRL 起订121个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":59950}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRF2903ZSTRL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:231W

    阈值电压:4V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:240nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6320pF@25V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@75A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS7437TRL7PP 起订800个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS7437TRL7PP 起订800个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFS7437TRL7PP

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:231W

    阈值电压:3.9V@150µA

    栅极电荷:225nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7437pF@25V

    连续漏极电流:195A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP030N06 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP030N06 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP030N06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:231W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:151nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9815pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVH4L040N120M3S 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVH4L040N120M3S 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVH4L040N120M3S

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:231W

    阈值电压:4.4V@10mA

    栅极电荷:75nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:1700pF@800V

    连续漏极电流:54A

    类型:N沟道

    导通电阻:54mΩ@20A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6020KNJTL 起订25个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6020KNJTL 起订25个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020KNJTL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:231W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1550pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:196mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L040N120M3S 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L040N120M3S 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":12150}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L040N120M3S

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:231W

    阈值电压:4.4V@10mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:1700pF@800V

    连续漏极电流:54A

    类型:N沟道

    导通电阻:54mΩ@20A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SMC Mosfet场效应管 S2M0080120D 起订100个装
    SMC Mosfet场效应管 S2M0080120D 起订100个装

    品牌:SMC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):S2M0080120D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:231W

    阈值电压:4V@10mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:1324pF@1000V

    连续漏极电流:41A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@20A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDI030N06 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDI030N06 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDI030N06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:231W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:151nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9815pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFS8407-7P 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFS8407-7P 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":599,"23+":31000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRFS8407-7P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:231W

    阈值电压:3.9V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:225nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7437pF@25V

    连续漏极电流:240A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L040N120M3S 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L040N120M3S 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":12150}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L040N120M3S

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:231W

    阈值电压:4.4V@10mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:1700pF@800V

    连续漏极电流:54A

    类型:N沟道

    导通电阻:54mΩ@20A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB240N03S4LR9ATMA1 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB240N03S4LR9ATMA1 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":18485,"19+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB240N03S4LR9ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:231W

    阈值电压:2.2V@180µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:300nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20300pF@25V

    连续漏极电流:240A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.92mΩ@100A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFS8407-7TRL 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFS8407-7TRL 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRFS8407-7TRL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:231W

    阈值电压:3.9V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:225nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7437pF@25V

    连续漏极电流:240A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDI030N06 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDI030N06 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDI030N06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:231W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:151nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9815pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB029N06 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB029N06 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":6200,"22+":4352,"23+":1600,"MI+":3200}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB029N06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:231W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:151nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9815pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SMC Mosfet场效应管 S2M0080120D 起订25个装
    SMC Mosfet场效应管 S2M0080120D 起订25个装

    品牌:SMC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):S2M0080120D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:231W

    阈值电压:4V@10mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:1324pF@1000V

    连续漏极电流:41A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@20A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6020KNJTL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6020KNJTL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020KNJTL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:231W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1550pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:196mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6020KNJTL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6020KNJTL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020KNJTL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:231W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1550pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:196mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFS8407-7P 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFS8407-7P 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":599,"23+":31000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRFS8407-7P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:231W

    阈值电压:3.9V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:225nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7437pF@25V

    连续漏极电流:240A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS7437TRL7PP 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS7437TRL7PP 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFS7437TRL7PP

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:231W

    阈值电压:3.9V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:225nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7437pF@25V

    连续漏极电流:195A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L040N120M3S 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L040N120M3S 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":12150}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L040N120M3S

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:231W

    阈值电压:4.4V@10mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:1700pF@800V

    连续漏极电流:54A

    类型:N沟道

    导通电阻:54mΩ@20A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6520ENJTL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6520ENJTL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6520ENJTL

    功率:231W

    阈值电压:4V@630μA

    栅极电荷:61nC@10V

    输入电容:1.4nF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:205mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF2903ZSTRL 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF2903ZSTRL 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":59950}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRF2903ZSTRL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:231W

    阈值电压:4V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:240nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6320pF@25V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@75A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6020KNJTL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6020KNJTL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020KNJTL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:231W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1550pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:196mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB029N06 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB029N06 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":6200,"22+":4352,"23+":1600,"MI+":3200}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB029N06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:231W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:151nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9815pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6020ENZ4C13 起订510个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6020ENZ4C13 起订510个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020ENZ4C13

    工作温度:150℃

    功率:231W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:196mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6020KNJTL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6020KNJTL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020KNJTL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:231W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1550pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:196mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP030N06 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP030N06 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP030N06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:231W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:151nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9815pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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