采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2540N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：175mA
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@500mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2206N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
包装方式：袋
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：640mA
类型：P沟道
导通电阻：900mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7008-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：袋
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2106N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0106N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2535N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N6660
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@24V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：10471}
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4087LS
工作温度：150℃
功率：2W€40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：袋
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2540N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2530N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：175mA
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@150mA，0V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：晶闸管
行业应用：其它
销售单位：个
规格型号(MPN)：C106M1G
断态峰值电压(Vdrm)：600V
通态峰值电压(Vtm)：2.2V
保持电流(Ih)：3mA
浪涌电流(Itsm)：20A
工作温度：-40℃~110℃
通态RMS电流(It(rms))：4A
门极触发电流(Igt)：200µA
包装方式：袋
门极触发电压(Vgt)：800mV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2410L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP4410ZPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：袋
输入电容：4820pF@50V
连续漏极电流：97A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@58A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP3203N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：650mA
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2104N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：175mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N6661
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@24V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
漏源电压：90V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0606N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：P沟道
导通电阻：3.5Ω@750mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN1206L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN3205N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@10mA
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@3A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2222LL-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€1W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：袋
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0106N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
包装方式：袋
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：C106M1G
断态峰值电压(Vdrm)：600V
通态峰值电压(Vtm)：2.2V
保持电流(Ih)：3mA
浪涌电流(Itsm)：20A
工作温度：-40℃~110℃
通态RMS电流(It(rms))：4A
门极触发电流(Igt)：200µA
包装方式：袋
门极触发电压(Vgt)：800mV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
生产批次：{"15+"：20999，"17+"：9195}
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：4.1pF@5V
功率：100mW
栅源截止电压：500mV@1µA
工作温度：150℃
包装方式：袋
漏源饱和电流：100µA@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：10471}
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4087LS
工作温度：150℃
功率：2W€40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：袋
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP0808L-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4.5V@1mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@1A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2535N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2460N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@2mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：160mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@100mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2106N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：袋
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：12Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2535N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：结型场效应管
行业应用：消费,其它
生产批次：{"11+"：45，"14+"：4552703，"16+"：928833，"17+"：265802}
销售单位：个
类型：N通道
ECCN：EAR99
输入电容：4.1pF@5V
功率：100mW
栅源截止电压：500mV@1µA
工作温度：150℃
包装方式：袋
漏源饱和电流：210µA@5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
