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    漏源电压
    80V
    功率
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    行业应用
    阈值电压
    4V @ 250µA 2.1V @ 1mA 4.5V @ 250µA 2.7V @ 250µA 4V@250μA 2.5V @ 250µA 2.5V@250μA 3.5V @ 46µA 3.8V@72μA 3.5V@250μA 2.2V 3.8V 4V @ 310µA 3.5V@700μA 1.7V 3.6V @ 250µA 3.5V@73μA 3.5V@90μA 3V@250μA 3.8V@36μA 3.8V @ 280µA 3.5V@1mA 3.5V@33μA 4V 3.8V@275μA 2V @ 96µA 1.1V 2.1V@1mA 3.8V @ 66µA 4V@1mA 3.5V @ 12µA 2.5V@1mA 2.7V@250μA 2.5V @ 120µA 3.8V @ 108µA 4V@140μA 3.8V@250μA 4V @ 223µA 3.5V @ 73µA 2V@1mA 3.8V @ 275µA 2V 3.5V @ 270µA 3V 2V @ 10µA 4.5V@1mA 4.5V@250μA 3.6V@1mA 3.5V 2.5V 2V @ 11µA 2V@250μA 3.5V@97μA 4V@220μA 3.8V@160μA 3.8V@85μA 2.9V@479μA 2.5V@2mA 2.9V@250μA 2.3V@115μA 2V@21μA 3.8V@279μA 4V@120μA 3.8V@95μA 2.3V@29μA 2.5V@7mA 3.5V @ 500µA 2V@10µA 3.8V@22µA 3V@250µA 3.8V@275µA 2V@70µA 3.8V@49µA 3.8V@31µA 4V@140µA 3.5V@40µA 2.3V@36µA 2.7V@250µA 4V@95µA 4V@100µA 3.2V@250µA 3.8V@115µA 3.8V@36µA 2.3V@115µA 2V@250µA 4V@250µA 2V@20µA 3.5V@250µA 2.4V@250µA 3.5V@97µA 2V@11µA 4V@70µA 2.6V@250µA 4.9V@100µA 2.3V@250µA 3.8V@27µA 3.5V@46µA 4V@90µA 4.5V@250µA 4V@490µA 2.5V@250µA 4V@120µA 4V@190µA 3.5V@33µA 3.7V@250µA 3.5V@90µA 3.8V@100µA 4.9V@150µA 2V@30µA 3.4V@250µA 4V@45µA 3.5V@12µA 3.8V@160µA 3.3V@250µA 3.8V@65µA 4V@590µA 2.8V@250µA 3.8V@95µA 3.8V@250µA 3.8V@72µA 3.8V@194µA 2.5V@600µA 3.8V@279µA 4V@310µA 2.3V@29µA 3.5V@73µA 2V@330µA 3.8V@55µA 4V@30µA 3.8V@139µA 2V@96µA 4V@20µA 4V@33µA 3.5V@155µA 4V@650µA 2.5V@3mA 3.8V@267µA 3.8V@108µA 2.3V@47µA 2V@45µA 4V@15µA 2.5V@120µA 3.8V@230µA 4V@540µA 3.8V@280µA 3.8V@208µA 4V@125µA 4V@300µA 2V@21µA 3.8V@130µA 2.5V@20µA 4V@200µA 4V@500µA 3.8V@66µA 3.8V@146µA 2.5V@210µA 3.6V@250µA 4V@223µA 3.8V@41µA 4V@330µA 2.5V@4mA 3.8V@154µA 3.8V@120µA 2.5V@2.5mA 2V@140µA 4V@220µA 2V@190µA 3.75V@250µA 2.5V@14mA 2.5V@13mA 2V@8µA 4.1V@250µA 3.5V@270µA 4V@380µA 3.8V@67µA 2.5V@130µA 2V@26µA 2V@15µA 2.5V@44µA 3.8V@78µA 2.3V@24µA 4V@479µA 3.8V@63µA 3V@90µA 2V@95µA 2.5V@12mA 2.5V@2.5mA€2.5V@10mA 3.5V@500µA
    栅极电荷
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    连续漏极电流
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    漏源电压: 80V
    当前匹配商品:8300+
    商品信息
    参数
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    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NLTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H850NLTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS6H850NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€73W

    阈值电压:2V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@40V

    连续漏极电流:14.8A€64A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2337ES-T1_BE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2337ES-T1_BE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2337ES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@40V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:290mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86363-F085 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL86363-F085 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL86363-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:357W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:169nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10000pF@40V

    连续漏极电流:240A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H888NTAG 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H888NTAG 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS6H888NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.9W€18W

    阈值电压:4V@15µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@40V

    连续漏极电流:4.7A€12A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0855DPB-00#J5 起订2个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0855DPB-00#J5 起订2个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK0855DPB-00#J5

    工作温度:150℃

    功率:60W

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2550pF@10V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@15A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LC 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LC 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC007N08LC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.5V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2940pF@40V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@21A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H801NLT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H801NLT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H801NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€167W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5126pF@40V

    连续漏极电流:24A€160A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD2816 起订7个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD2816 起订7个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD2816

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€53.5W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1109pF@40V

    连续漏极电流:8.5A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ481EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ481EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ481EP-T1_GE3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:45W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000 pF @ 25 V

    连续漏极电流:16A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:80 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN026-80YS,115 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN026-80YS,115 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN026-80YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@40V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:27.5mΩ@5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H824NLT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H824NLT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H824NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@40V

    连续漏极电流:20A€110A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0250N807L 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0250N807L 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB0250N807L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€214W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15400pF@40V

    连续漏极电流:240A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2387DS-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2387DS-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2387DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:395pF@40V

    连续漏极电流:2.1A€3A

    类型:P沟道

    导通电阻:164mΩ@2.1A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR5802DP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR5802DP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR5802DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3020pF@40V

    连续漏极电流:33.6A€137.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUT200N08S5N023ATMA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUT200N08S5N023ATMA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUT200N08S5N023ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:3.8V@130µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7670pF@40V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@100A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75545S3ST 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75545S3ST 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75545S3ST

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:270W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:235nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3750pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@75A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA86EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA86EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA86EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@8A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7280 起订2个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7280 起订2个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7280

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.3W€83W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@40V

    连续漏极电流:20A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMTS1D2N08H 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMTS1D2N08H 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMTS1D2N08H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€300W

    阈值电压:4V@590µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:147nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10100pF@40V

    连续漏极电流:41A€335A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@90A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86320 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86320 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86320

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2640pF@40V

    连续漏极电流:10.5A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.7mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUT300N08S5N012ATMA2 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUT300N08S5N012ATMA2 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUT300N08S5N012ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:3.8V@275µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:231nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16250pF@40V

    连续漏极电流:300A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@100A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB024N08BL7 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB024N08BL7 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB024N08BL7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:246W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:178nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13530pF@40V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@100A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC057N08NS3GATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC057N08NS3GATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC057N08NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€114W

    阈值电压:3.5V@73µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@40V

    连续漏极电流:16A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H864NT1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H864NT1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H864NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€33W

    阈值电压:4V@20µA

    栅极电荷:6.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:370pF@40V

    连续漏极电流:6.7A€21A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC28N08S5L230ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC28N08S5L230ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC28N08S5L230ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:867pF@40V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@14A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS6H850NTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS6H850NTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS6H850NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€107W

    阈值电压:4V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@40V

    连续漏极电流:11A€68A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86340 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86340 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86340

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.3W(Ta),54W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3885 pF @ 40 V

    连续漏极电流:14A(Ta),48A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:6.5 毫欧 @ 14A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5B 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5B 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19502Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.3V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@19A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA86EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA86EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA86EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@8A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86324 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86324 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86324

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:965pF@50V

    连续漏极电流:7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@7A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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