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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ478DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1855pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ478DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1855pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIJ478DP-T1-GE3
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功率：5W€62.5W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1855pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIJ478DP-T1-GE3
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功率：5W€62.5W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1855pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ478DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1855pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ478DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1855pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7469ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€73.5W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3420pF@40V
连续漏极电流：7.4A€46A
类型：P沟道
导通电阻：19.3mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7469ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€73.5W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3420pF@40V
连续漏极电流：7.4A€46A
类型：P沟道
导通电阻：19.3mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ478DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1855pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIJ478DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1855pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7469ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€73.5W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3420pF@40V
连续漏极电流：7.4A€46A
类型：P沟道
导通电阻：19.3mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
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规格型号(MPN)：SI7469ADP-T1-RE3
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功率：5W€73.5W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
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输入电容：3420pF@40V
连续漏极电流：7.4A€46A
类型：P沟道
导通电阻：19.3mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
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品牌：VISHAY
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7469ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€73.5W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3420pF@40V
连续漏极电流：7.4A€46A
类型：P沟道
导通电阻：19.3mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ478DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1855pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ478DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1855pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7469ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€73.5W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3420pF@40V
连续漏极电流：7.4A€46A
类型：P沟道
导通电阻：19.3mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR681DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4850pF@40V
连续漏极电流：17.6A€71.9A
类型：P沟道
导通电阻：11.2mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR681DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4850pF@40V
连续漏极电流：17.6A€71.9A
类型：P沟道
导通电阻：11.2mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR681DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4850pF@40V
连续漏极电流：17.6A€71.9A
类型：P沟道
导通电阻：11.2mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7469ADP-T1-RE3
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：7.4A€46A
输入电容：3420pF@40V
漏源电压：80V
导通电阻：19.3mΩ@10A，10V
类型：P沟道
功率：5W€73.5W
阈值电压：2.6V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ478DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1855pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ478DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1855pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ478DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1855pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ478DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1855pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ478DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1855pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
