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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ469EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ469EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ479EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ469EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ479EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ479EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
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规格型号(MPN)：SQJ479EP-T1_GE3
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功率：68W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
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规格型号(MPN)：SQJ479EP-T1_GE3
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功率：68W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ479EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ479EP-T1_BE3
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功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ469EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
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规格型号(MPN)：SQJ479EP-T1_GE3
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功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ479EP-T1_GE3
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功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ479EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ469EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ469EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ479EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ479EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ479EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ479EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ479EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ479EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
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输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ479EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
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功率：68W
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连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ479EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ479EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ479EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ479EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ479EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ479EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
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