品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1600,"23+":111}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9961pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
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库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R3-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8161pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
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库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
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输入电容:8400pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
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库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R3-80ES,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
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输入电容:8161pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
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漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
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栅极电荷:125nC@10V
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类型:N沟道
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漏源电压:80V
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库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1600,"23+":111}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
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连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9961pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R3-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8161pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1600,"23+":111}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118
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功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
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输入电容:8400pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
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连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:125nC@10V
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连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R3-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8161pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:125nC@10V
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连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9961pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9961pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9961pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9961pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9961pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9961pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":540,"19+":3309}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R3-80PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8161pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":540,"19+":3309}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R3-80PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8161pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":540,"19+":3309}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R3-80PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8161pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9961pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: