品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H880NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€33W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:431pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H880NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€33W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:431pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H880NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€33W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:431pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H880NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€33W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:431pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H880NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€33W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:431pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H880NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€33W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:431pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H880NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€33W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:431pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H880NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€33W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:431pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H880NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€33W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:431pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H880NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€33W
阈值电压:2V@20µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:431pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H880NLWFTAG
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
输入电容:431pF@40V
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€33W
ECCN:EAR99
阈值电压:2V@20µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H880NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€33W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:431pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: