品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPF023N08NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.8V@139µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6200pF@40V
连续漏极电流:209A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPF023N08NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.8V@139µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6200pF@40V
连续漏极电流:209A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP037N08N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@155µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8110pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.75mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB030N08N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@155µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8110pF@40V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB024N08N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.8V@154µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8970pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP037N08N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@155µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8110pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.75mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP037N08N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@155µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8110pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.75mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB030N08N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@155µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8110pF@40V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP037N08N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@155µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8110pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.75mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB030N08N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@155µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8110pF@40V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB035N08N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@155µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8110pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB030N08N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@155µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8110pF@40V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB030N08N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@155µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8110pF@40V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB024N08N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.8V@154µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8970pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB035N08N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@155µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8110pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB035N08N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@155µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8110pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPF023N08NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.8V@139µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6200pF@40V
连续漏极电流:209A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP039N08B-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9450pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB024N08N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.8V@154µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8970pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":450,"22+":460,"MI+":450}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA90N08
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3250pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@45A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP037N08N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@155µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8110pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.75mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPF023N08NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.8V@139µA
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6200pF@40V
连续漏极电流:209A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB024N08N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.8V@154µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8970pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: