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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：DMTH8012LK3-13
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功率：2.6W
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栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMTH8012LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
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规格型号(MPN)：DMTH8012LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
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功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMTH8012LK3-13
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功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：DMTH8012LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
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功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
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输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
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功率：2.6W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
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功率：2.6W
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栅极电荷：34nC@10V
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输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
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功率：2.6W
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输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
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功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
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输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
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规格型号(MPN)：DMTH8012LK3-13
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功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
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输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
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功率：2.6W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
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输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
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规格型号(MPN)：DMTH8012LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMTH8012LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
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规格型号(MPN)：DMTH8012LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMTH8012LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMTH8012LK3-13
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功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3Q-13
输入电容：2051pF@40V
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：80V
导通电阻：16mΩ@12A，10V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：50A
栅极电荷：46.8nC@10V
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3-13
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
类型：N沟道
漏源电压：80V
导通电阻：16mΩ@12A，10V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：50A
功率：2.6W
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
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输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
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