品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86320
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2640pF@40V
连续漏极电流:10.5A€22A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@10.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB024N08BL7
工作温度:-55℃~175℃
功率:246W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:178nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13530pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS039N08B
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7600pF@40V
连续漏极电流:19.4A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86300DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7005pF@40V
连续漏极电流:24A€76A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@24A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86300DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7005pF@40V
连续漏极电流:24A€76A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@24A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86350
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€156W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:155nC@10V
输入电容:10680pF@40V
连续漏极电流:25A€130A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP027N08B-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:246W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:178nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13530pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86320
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2640pF@40V
连续漏极电流:10.5A€22A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@10.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86350
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€156W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:155nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10680pF@40V
连续漏极电流:25A€130A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86350
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€156W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:155nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10680pF@40V
连续漏极电流:25A€130A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86300DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7005pF@40V
连续漏极电流:24A€76A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@24A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP140N8F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6340pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@45A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP110N8F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9130pF@40V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@55A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB024N08BL7
工作温度:-55℃~175℃
功率:246W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:178nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13530pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP140N8F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6340pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@45A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB024N08BL7
工作温度:-55℃~175℃
功率:246W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:178nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13530pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP110N8F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9130pF@40V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@55A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP140N8F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6340pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@45A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP140N8F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6340pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@45A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3200}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB024N08BL7
工作温度:-55℃~175℃
功率:246W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:178nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13530pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS039N08B
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7600pF@40V
连续漏极电流:19.4A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP027N08B-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:246W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:178nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13530pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP140N8F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6340pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@45A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP140N8F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6340pF@40V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@45A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS039N08B
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7600pF@40V
连续漏极电流:19.4A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL100N8F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.8W€120W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:46.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3435pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS039N08B
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7600pF@40V
连续漏极电流:19.4A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86300
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7082pF@40V
连续漏极电流:19A€80A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@19A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86310
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6290pF@40V
连续漏极电流:17A€50A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@17A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86310
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6290pF@40V
连续漏极电流:17A€50A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@17A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: