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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN13008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@40V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：13.3mΩ@9A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN13008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@40V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：13.3mΩ@9A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：800mW€142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN30008NH，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€27W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@40V
连续漏极电流：9.6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@4.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN30008NH，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€27W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@40V
连续漏极电流：9.6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@4.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH12008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€48W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH12008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€48W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH12008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€48W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH12008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€48W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@40V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：800mW€142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN30008NH，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€27W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@40V
连续漏极电流：9.6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@4.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R408QM，L1Q
工作温度：175℃
功率：3W€210W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8300pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.43mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R408QM，L1Q
工作温度：175℃
功率：3W€210W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8300pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.43mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E08N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.2mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@17A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN30008NH，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€27W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@40V
连续漏极电流：9.6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@4.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK46E08N1，S1X
工作温度：150℃
功率：103W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@23A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@17A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E08N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.2mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：800mW€142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：800mW€142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：800mW€142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R408QM，L1Q
工作温度：175℃
功率：3W€210W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8300pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.43mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R408QM，L1Q
工作温度：175℃
功率：3W€210W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8300pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.43mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：800mW€142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R008NH，L1Q(M
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@10V，30A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@17A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
