品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:结型场效应管
行业应用:消费,其它
销售单位:个
类型:N通道
ECCN:EAR99
输入电容:13pF@10V
功率:100mW
栅源击穿电压:50V
栅源截止电压:1.5V@100nA
工作温度:125℃
包装方式:卷带(TR)
漏源饱和电流:2.6mA@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K56CT,L3F
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:1个N沟道
导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:150°C(TJ)
功率:1.25W(Ta)
阈值电压:1V @ 1mA
栅极电荷:37.6 nC @ 4.5 V
输入电容:2700 pF @ 10 V
连续漏极电流:12A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:12 毫欧 @ 4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:2.2nC@4.2V
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:185mΩ@1A,8V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:156nC@10V
输入电容:7.76nF@10V
连续漏极电流:60A
类型:1个P沟道
导通电阻:11.2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:2W
阈值电压:2.4V@1mA
栅极电荷:2.5nC@10V
输入电容:86pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:340mΩ@1A,10V
漏源电压:38V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:150°C(TJ)
功率:300mW
阈值电压:1.8V @ 100µA
输入电容:20pF @ 5V
连续漏极电流:400mA,200mA
类型:N 和 P 沟道
导通电阻:700毫欧 @ 200MA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:30W
阈值电压:4V@500μA
栅极电荷:34nC@10V
输入电容:2nF@60V
连续漏极电流:32A
类型:1个N沟道
导通电阻:13.8mΩ@16A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:100mW
阈值电压:1.7V@100μA
输入电容:9.1pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:1个P沟道
导通电阻:12Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:320mW
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:350pC@4.5V
输入电容:17pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.9Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:IGBT
销售单位:个
栅极阈值电压(Vge(th)):2.2V@15V,50A
集电极截止电流(Ices):600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:700mW€27W
阈值电压:4V@100μA
栅极电荷:11nC@10V
输入电容:880pF@50V
连续漏极电流:9.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:33mΩ@4.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:150°C
功率:500mW(Ta)
阈值电压:2.6V @ 1mA
栅极电荷:5.1nC @ 10V
输入电容:180pF @ 15V
连续漏极电流:1.6A(Ta)
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:122 毫欧 @ 1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:3W
连续漏极电流:1A
类型:1个N沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7R7P10PL,RQ
工作温度:175℃
功率:93W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@50V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K7002CFU,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@10V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:3.9Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72KCT,L3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2009TE85LF
工作温度:150°C(TJ)
功率:200mW(Ta)
阈值电压:1.5V @ 100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70 pF @ 3 V
连续漏极电流:200mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:2欧姆 @ 50MA,2.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J505NU,LF
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:37.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6L35FE,LM
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9.5pF@3V
连续漏极电流:180mA€100mA
类型:N和P沟道
导通电阻:3Ω@50mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7A90E,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1350pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@3.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7R7P10PL,RQ
工作温度:175℃
功率:93W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@50V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH7R204PL,LQ
工作温度:175℃
功率:69W
阈值电压:2.4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2040pF@20V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:9.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J505NU,LF
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:37.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J213FE(TE85L,F
工作温度:150°C(TJ)
功率:500mW(Ta)
阈值电压:1V @ 1mA
栅极电荷:4.7 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290 pF @ 10 V
连续漏极电流:2.6A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:103 毫欧 @ 1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J168F,LF
功率:1.2W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:82pF@10V
连续漏极电流:400mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFM01U7P(TE12L,F)
功率:20V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20V
类型:N 通道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):300mV @ 250µA,5mA
集电集截止电流(Icbo):500nA
电阻比:4.7kOhms
直流增益(hFE@Ic,Vce):30 @ 10mA,5V
集电极电流(Ic):100mA
输入电阻:4.7kOhms
集射极击穿电压(Vceo):50V
特征频率:250MHz
功率:200mW
晶体管类型:NPN - 预偏压
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:150°C(TJ)
功率:1.25W(Ta)
阈值电压:1V @ 1mA
栅极电荷:37.6 nC @ 4.5 V
输入电容:2700 pF @ 10 V
连续漏极电流:12A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:12 毫欧 @ 4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:150°C(TJ)
功率:1.25W(Ta)
阈值电压:1V @ 1mA
栅极电荷:37.6 nC @ 4.5 V
输入电容:2700 pF @ 10 V
连续漏极电流:12A(Ta)
类型:P 通道
导通电阻:12 毫欧 @ 4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: