品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK25S06N1L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:855pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:36.8mΩ@12.5A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK25S06N1L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:855pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:36.8mΩ@12.5A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK25S06N1L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:855pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:36.8mΩ@12.5A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK25S06N1L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:855pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:36.8mΩ@12.5A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN19008QM,LQ
工作温度:-+175℃
功率:57W
阈值电压:3.5V
栅极电荷:16nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:34A
类型:MOSFET
导通电阻:28mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN19008QM,LQ
工作温度:-+175℃
功率:57W
阈值电压:3.5V
栅极电荷:16nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:34A
类型:MOSFET
导通电阻:28mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK25S06N1L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:855pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:36.8mΩ@12.5A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK25S06N1L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:855pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:36.8mΩ@12.5A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK25S06N1L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:855pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:36.8mΩ@12.5A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK25S06N1L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:855pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:36.8mΩ@12.5A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):3000psc
规格型号(MPN):TPN19008QM,LQ
功率:57W
阈值电压:3.5V
包装方式:Reel
导通电阻:28mΩ
栅极电荷:16nC
漏源电压:80V
连续漏极电流:34A
工作温度:-+175℃
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK25S06N1L,LXHQ
功率:57W
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
阈值电压:2.5V@100µA
漏源电压:60V
工作温度:175℃
连续漏极电流:25A
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:855pF@10V
导通电阻:36.8mΩ@12.5A,4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
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