品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K504NU,LF
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K516NU,LF
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:2.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K819R,LXHF
工作温度:175℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:25.8mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K516NU,LF
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:2.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K361NU,LF
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK25S06N1L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:855pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:36.8mΩ@12.5A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK25S06N1L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:855pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:36.8mΩ@12.5A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K516NU,LF
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:2.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K516NU,LF
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:2.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K819R,LXHF
工作温度:175℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:25.8mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K341TU,LF
工作温度:175℃
功率:1.8W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N815R,LF
工作温度:150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:103mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K361R,LF
工作温度:175℃
功率:1.2W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK25S06N1L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:855pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:36.8mΩ@12.5A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K516NU,LF
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:2.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K361NU,LF
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K504NU,LF
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K361NU,LF
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK15S04N1L,LQ
工作温度:175℃
功率:46W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:17.8mΩ@7.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K341TU,LF
工作温度:175℃
功率:1.8W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K333R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:436pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K361NU,LF
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K333R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:436pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N815R,LF
工作温度:150℃
功率:1.8W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:103mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K819R,LXHF
工作温度:175℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@100µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:25.8mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K504NU,LF
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K504NU,LF
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K361R,LF
工作温度:175℃
功率:1.2W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K361R,LF
工作温度:175℃
功率:1.2W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK11S10N1L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:65W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:850pF@10V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: