首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    栅极电荷
    包装方式
    功率
    行业应用
    漏源电压
    连续漏极电流
    品牌: 东芝(TOSHIBA)
    栅极电荷: 60nC@10V
    当前匹配商品:20+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3878(STA1,E,S)
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3878(STA1,E,S)

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3878(STA1,E,S)

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:2.2nF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:190pF@25V

    导通电阻:1Ω@10V,4A

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3878(STA1,E,S)
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3878(STA1,E,S)

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3878(STA1,E,S)

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:2.2nF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:190pF@25V

    导通电阻:1Ω@10V,4A

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R506PL,L1Q 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R506PL,L1Q 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH2R506PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:132W

    阈值电压:2.5V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5435pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@30A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK60S06K3L(T6L1,NQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK60S06K3L(T6L1,NQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK60S06K3L(T6L1,NQ

    工作温度:175℃

    功率:88W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R506PL,L1Q
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R506PL,L1Q

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH2R506PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:132W

    阈值电压:2.5V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5435pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@30A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK60F10N1L,LXGQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK60F10N1L,LXGQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK60F10N1L,LXGQ

    工作温度:175℃

    功率:205W

    阈值电压:3.5V@500µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4320pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.11mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK60S06K3L(T6L1,NQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK60S06K3L(T6L1,NQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK60S06K3L(T6L1,NQ

    工作温度:175℃

    功率:88W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:20
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R506PL,L1Q
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R506PL,L1Q

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH2R506PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:132W

    阈值电压:2.5V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5435pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@30A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK60S06K3L(T6L1,NQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK60S06K3L(T6L1,NQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK60S06K3L(T6L1,NQ

    工作温度:175℃

    功率:88W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R506PL,L1Q
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R506PL,L1Q

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH2R506PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:132W

    阈值电压:2.5V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5435pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@30A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK60S06K3L(T6L1,NQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK60S06K3L(T6L1,NQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK60S06K3L(T6L1,NQ

    工作温度:175℃

    功率:88W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK60S06K3L(T6L1,NQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK60S06K3L(T6L1,NQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK60S06K3L(T6L1,NQ

    工作温度:175℃

    功率:88W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3878(STA1,E,S)
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3878(STA1,E,S)

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3878(STA1,E,S)

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:2.2nF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:190pF@25V

    导通电阻:1Ω@10V,4A

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK25N60X5,S1F
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK25N60X5,S1F

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK25N60X5,S1F

    工作温度:150℃

    功率:180W

    阈值电压:4.5V@1.2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@300V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R506PL,L1Q
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R506PL,L1Q

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH2R506PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:132W

    阈值电压:2.5V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5435pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@30A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK25N60X5,S1F
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK25N60X5,S1F

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK25N60X5,S1F

    工作温度:150℃

    功率:180W

    阈值电压:4.5V@1.2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@300V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R506PL,L1Q
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R506PL,L1Q

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH2R506PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:132W

    阈值电压:2.5V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5435pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@30A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK60F10N1L,LXGQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK60F10N1L,LXGQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK60F10N1L,LXGQ

    工作温度:175℃

    功率:205W

    阈值电压:3.5V@500µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4320pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.11mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R506PL,L1Q
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R506PL,L1Q

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH2R506PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:132W

    阈值电压:2.5V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5435pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@30A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R506PL,L1Q
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R506PL,L1Q

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH2R506PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:132W

    阈值电压:2.5V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5435pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@30A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R506PL,L1Q
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R506PL,L1Q

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH2R506PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:132W

    阈值电压:2.5V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5435pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@30A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R506PL,L1Q
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R506PL,L1Q

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH2R506PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:132W

    阈值电压:2.5V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5435pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@30A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK60F10N1L,LXGQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK60F10N1L,LXGQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK60F10N1L,LXGQ

    工作温度:175℃

    功率:205W

    阈值电压:3.5V@500µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4320pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.11mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK60F10N1L,LXGQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK60F10N1L,LXGQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK60F10N1L,LXGQ

    工作温度:175℃

    功率:205W

    阈值电压:3.5V@500µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4320pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.11mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R506PL,L1Q
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R506PL,L1Q

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH2R506PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:132W

    阈值电压:2.5V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5435pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@30A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK60F10N1L,LXGQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK60F10N1L,LXGQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK60F10N1L,LXGQ

    工作温度:175℃

    功率:205W

    阈值电压:3.5V@500µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4320pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.11mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK60S06K3L(T6L1,NQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK60S06K3L(T6L1,NQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK60S06K3L(T6L1,NQ

    工作温度:175℃

    功率:88W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK60F10N1L,LXGQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK60F10N1L,LXGQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK60F10N1L,LXGQ

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:4320pF@10V

    包装方式:卷带(TR)

    类型:N沟道

    功率:205W

    阈值电压:3.5V@500µA

    工作温度:175℃

    连续漏极电流:60A

    导通电阻:6.11mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3878(STA1,E,S)
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK3878(STA1,E,S)

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3878(STA1,E,S)

    栅极电荷:60nC@10V

    反向传输电容:190pF@25V

    漏源电压:900V

    类型:1个N沟道

    功率:150W

    工作温度:-55℃~+150℃

    输入电容:2.2nF@25V

    连续漏极电流:9A

    阈值电压:4V@1mA

    导通电阻:1Ω@10V,4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧