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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12P60W，RVQ(S
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：3.7V@600µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7P50D(T6RSS-Q)
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.22Ω@3.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12P60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：3.7V@600µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7760pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：11.2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7760pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：11.2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S06M3L(T6L1，NQ
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7760pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：11.2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12P60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：3.7V@600µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12P60W，RVQ(S
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：3.7V@600µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S06M3L(T6L1，NQ
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7760pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：11.2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12P60W，RVQ(S
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：3.7V@600µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK290P65Y，RQ
功率：100W
阈值电压：4V@450μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：730pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@10V，5.8A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100S04N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5490pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ80S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：158nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7770pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100S04N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5490pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12P60W，RVQ(S
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：3.7V@600µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ80S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：158nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7770pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100S04N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5490pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100S04N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5490pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7760pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：11.2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ80S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：158nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7770pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK290P65Y，RQ
功率：100W
阈值电压：4V@450μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：730pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：290mΩ@10V，5.8A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12P60W，RVQ(S
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：3.7V@600µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12P60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：3.7V@600µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7P50D(T6RSS-Q)
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.22Ω@3.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7P50D(T6RSS-Q)
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.22Ω@3.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7P50D(T6RSS-Q)
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.22Ω@3.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12P60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：3.7V@600µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7760pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：11.2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7760pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：11.2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S06M3L(T6L1，NQ
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7760pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：11.2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
