品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH5200FNH,L1Q
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@13A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1400ANH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€48W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@50V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:13.6mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN7R506NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:700mW€42W
阈值电压:4V@200µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@30V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@13A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R803PL,LQ
功率:830mW€69W
阈值电压:2.1V@200μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.975nF@15V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.8mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH5200FNH,L1Q
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@13A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH5200FNH,L1Q
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@13A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1400ANH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€48W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@50V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:13.6mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1500CNH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@75V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:15.4mΩ@19A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH5200FNH,L1Q
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@13A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R803PL,LQ
功率:830mW€69W
阈值电压:2.1V@200μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.975nF@15V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.8mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH12008NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€48W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@40V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:12.3mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH12008NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€48W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@40V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:12.3mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH5200FNH,L1Q
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@13A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN7R506NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:700mW€42W
阈值电压:4V@200µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@30V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@13A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH12008NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€48W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@40V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:12.3mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH12008NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€48W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@40V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:12.3mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1400ANH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€48W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@50V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:13.6mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1500CNH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@75V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:15.4mΩ@19A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1500CNH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@75V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:15.4mΩ@19A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R803PL,LQ
功率:830mW€69W
阈值电压:2.1V@200μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.975nF@15V
连续漏极电流:48A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.8mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH5200FNH,L1Q
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@100V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@13A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK8P60W5,RVQ
工作温度:150℃
功率:80W
阈值电压:4.5V@400µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@300V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2900ENH,L1Q
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@16.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1400ANH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€48W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@50V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:13.6mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1500CNH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@75V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:15.4mΩ@19A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1500CNH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@75V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:15.4mΩ@19A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN7R506NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:700mW€42W
阈值电压:4V@200µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@30V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@13A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2900ENH,L1Q
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@16.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2900ENH,L1Q
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@100V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@16.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN5R203PL,LQ
工作温度:175℃
功率:610mW€61W
阈值电压:2.1V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@15V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: