采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3129DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@40V
连续漏极电流：3.8A€5.4A
类型：P沟道
导通电阻：82.7mΩ@3.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3129DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@40V
连续漏极电流：3.8A€5.4A
类型：P沟道
导通电阻：82.7mΩ@3.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3129DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@40V
连续漏极电流：3.8A€5.4A
类型：P沟道
导通电阻：82.7mΩ@3.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3129DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@40V
连续漏极电流：3.8A€5.4A
类型：P沟道
导通电阻：82.7mΩ@3.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3129DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@40V
连续漏极电流：3.8A€5.4A
类型：P沟道
导通电阻：82.7mΩ@3.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3129DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@40V
连续漏极电流：3.8A€5.4A
类型：P沟道
导通电阻：82.7mΩ@3.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3129DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@40V
连续漏极电流：3.8A€5.4A
类型：P沟道
导通电阻：82.7mΩ@3.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3129DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@40V
连续漏极电流：3.8A€5.4A
类型：P沟道
导通电阻：82.7mΩ@3.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3129DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@40V
连续漏极电流：3.8A€5.4A
类型：P沟道
导通电阻：82.7mΩ@3.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3129DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@40V
连续漏极电流：3.8A€5.4A
类型：P沟道
导通电阻：82.7mΩ@3.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3129DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@40V
连续漏极电流：3.8A€5.4A
类型：P沟道
导通电阻：82.7mΩ@3.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3129DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@40V
连续漏极电流：3.8A€5.4A
类型：P沟道
导通电阻：82.7mΩ@3.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3129DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@40V
连续漏极电流：3.8A€5.4A
类型：P沟道
导通电阻：82.7mΩ@3.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3129DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@40V
连续漏极电流：3.8A€5.4A
类型：P沟道
导通电阻：82.7mΩ@3.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3129DV-T1-GE3
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
漏源电压：80V
输入电容：805pF@40V
类型：P沟道
导通电阻：82.7mΩ@3.8A，10V
功率：2W€4.2W
连续漏极电流：3.8A€5.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3129DV-T1-GE3
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
漏源电压：80V
输入电容：805pF@40V
类型：P沟道
导通电阻：82.7mΩ@3.8A，10V
功率：2W€4.2W
ECCN：EAR99
连续漏极电流：3.8A€5.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3129DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@40V
连续漏极电流：3.8A€5.4A
类型：P沟道
导通电阻：82.7mΩ@3.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3129DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@40V
连续漏极电流：3.8A€5.4A
类型：P沟道
导通电阻：82.7mΩ@3.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3129DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@40V
连续漏极电流：3.8A€5.4A
类型：P沟道
导通电阻：82.7mΩ@3.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3129DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@40V
连续漏极电流：3.8A€5.4A
类型：P沟道
导通电阻：82.7mΩ@3.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3129DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@40V
连续漏极电流：3.8A€5.4A
类型：P沟道
导通电阻：82.7mΩ@3.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3129DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@40V
连续漏极电流：3.8A€5.4A
类型：P沟道
导通电阻：82.7mΩ@3.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3129DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@40V
连续漏极电流：3.8A€5.4A
类型：P沟道
导通电阻：82.7mΩ@3.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
