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    漏源电压: 80V
    功率: 800mW€142W
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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPW4R008NH,L1Q 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPW4R008NH,L1Q 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPW4R008NH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:800mW€142W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5300pF@40V

    连续漏极电流:116A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPW4R008NH,L1Q 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPW4R008NH,L1Q 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPW4R008NH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:800mW€142W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5300pF@40V

    连续漏极电流:116A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPW4R008NH,L1Q 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPW4R008NH,L1Q 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPW4R008NH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:800mW€142W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5300pF@40V

    连续漏极电流:116A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPW4R008NH,L1Q 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPW4R008NH,L1Q 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPW4R008NH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:800mW€142W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5300pF@40V

    连续漏极电流:116A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPW4R008NH,L1Q 起订2000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPW4R008NH,L1Q 起订2000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPW4R008NH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:800mW€142W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5300pF@40V

    连续漏极电流:116A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPW4R008NH,L1Q 起订500个装
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    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPW4R008NH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:800mW€142W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5300pF@40V

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    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPW4R008NH,L1Q 起订1个装
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    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    规格型号(MPN):TPW4R008NH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:800mW€142W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5300pF@40V

    连续漏极电流:116A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPW4R008NH,L1Q 起订2000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPW4R008NH,L1Q 起订2000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPW4R008NH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:800mW€142W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5300pF@40V

    连续漏极电流:116A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPW4R008NH,L1Q 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPW4R008NH,L1Q 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPW4R008NH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:800mW€142W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5300pF@40V

    连续漏极电流:116A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPW4R008NH,L1Q 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPW4R008NH,L1Q 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

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    规格型号(MPN):TPW4R008NH,L1Q

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

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    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPW4R008NH,L1Q 起订1000个装
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    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPW4R008NH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:800mW€142W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5300pF@40V

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    导通电阻:4mΩ@50A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPW4R008NH,L1Q 起订500个装
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    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    规格型号(MPN):TPW4R008NH,L1Q

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    栅极电荷:59nC@10V

    类型:N沟道

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    输入电容:5300pF@40V

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