品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTSC1D5N08MC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€250W
阈值电压:4V@650µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10400pF@40V
连续漏极电流:33A€287A
类型:N沟道
导通电阻:1.56mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):NTMTSC1D5N08MC
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阈值电压:4V@650µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10400pF@40V
连续漏极电流:33A€287A
类型:N沟道
导通电阻:1.56mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:10400pF@40V
连续漏极电流:33A€287A
类型:N沟道
导通电阻:1.56mΩ@80A,10V
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行业应用:工业,汽车
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功率:3.3W€250W
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栅极电荷:140nC@10V
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输入电容:10400pF@40V
连续漏极电流:33A€287A
类型:N沟道
导通电阻:1.56mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
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漏源电压:80V
栅极电荷:140nC@10V
阈值电压:4V@650µA
功率:3.3W€250W
导通电阻:1.56mΩ@80A,10V
连续漏极电流:33A€287A
输入电容:10400pF@40V
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类型:N沟道
漏源电压:80V
栅极电荷:140nC@10V
阈值电压:4V@650µA
功率:3.3W€250W
导通电阻:1.56mΩ@80A,10V
连续漏极电流:33A€287A
输入电容:10400pF@40V
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