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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86326
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），62W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1035 pF @ 50 V
连续漏极电流：8A（Ta），37A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：23 毫欧 @ 8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD86326
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），62W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1035 pF @ 50 V
连续漏极电流：8A（Ta），37A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：23 毫欧 @ 8A，10V
漏源电压：80V
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阈值电压：4V @ 250µA
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输入电容：1035 pF @ 50 V
连续漏极电流：8A（Ta），37A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：23 毫欧 @ 8A，10V
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类型：N 通道
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导通电阻：23 毫欧 @ 8A，10V
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连续漏极电流：8A（Ta），37A（Tc）
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类型：N 通道
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功率：3.1W（Ta），62W（Tc）
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