采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ480E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8625pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ480E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8625pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ480E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8625pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ480E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8625pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ480E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8625pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ480E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8625pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ480E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8625pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ480E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8625pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP032N08B-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10965pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP032N08B-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10965pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ480E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8625pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ480E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8625pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP032N08B-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10965pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ480E-T1_GE3
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
漏源电压：80V
阈值电压：3.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
栅极电荷：144nC@10V
导通电阻：3mΩ@20A，10V
输入电容：8625pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FDP032N08B-F102
阈值电压：4.5V@250µA
输入电容：10965pF@40V
功率：263W
类型：N沟道
漏源电压：80V
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：144nC@10V
导通电阻：3.3mΩ@100A，10V
包装方式：管件
连续漏极电流：120A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ480E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8625pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ480E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8625pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP032N08B-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10965pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ480E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8625pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP032N08B-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10965pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP032N08B-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10965pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ480E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8625pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP032N08B-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10965pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP032N08B-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10965pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ480E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8625pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
