品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB024N08BL7
工作温度:-55℃~175℃
功率:246W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:178nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13530pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP034N08N5AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:3.8V@108µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6240pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":5,"18+":300,"22+":350}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP120N08S403AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:278W
阈值电压:4V@223µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:167nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11550pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB025N08N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.5V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:206nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14200pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB031N08N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:3.8V@108µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6240pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB017N08N5
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
阈值电压:2.2V
栅极电荷:223nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:120A
类型:MOSFET
导通电阻:1.5mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R5-80PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:338W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9961pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB025N08N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.5V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:206nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14200pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB025N08N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.5V@270µA
栅极电荷:206nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14200pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB024N08N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.8V@154µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8970pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP027N08B-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:246W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:178nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13530pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP020N08N5AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.8V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:223nC@10V
包装方式:管件
输入电容:16900pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R3-80PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:338W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9961pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP034N08N5AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:3.8V@108µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6240pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB024N08BL7
工作温度:-55℃~175℃
功率:246W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:178nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13530pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB024N08BL7
工作温度:-55℃~175℃
功率:246W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:178nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13530pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB020N08N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.8V@208µA
栅极电荷:166nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12100pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB020N08N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.8V@208µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:166nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12100pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3200}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB024N08BL7
工作温度:-55℃~175℃
功率:246W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:178nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13530pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB017N08N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.8V@280µA
栅极电荷:223nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16900pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":68706,"18+":608,"21+":59039,"22+":4000,"MI+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R5-80PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:338W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9961pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP027N08B-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:246W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:178nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13530pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK763R8-80E,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:169nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12030pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB020N08N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.8V@208µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:166nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12100pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK763R8-80E,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:169nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12030pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB024N08N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.8V@154µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8970pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP60030E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:141nC@10V
包装方式:散装
输入电容:7910pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP020N08N5AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.8V@280µA
栅极电荷:223nC@10V
包装方式:管件
输入电容:16900pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB017N08N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.8V@280µA
栅极电荷:223nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16900pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP020N08N5AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.8V@280µA
栅极电荷:223nC@10V
包装方式:管件
输入电容:16900pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: