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    漏源电压: 80V
    栅极电荷: 165nC@10V
    当前匹配商品:8
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQM60030E_GE3 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM60030E_GE3 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM60030E_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:165nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12000pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM60030E_GE3 起订1600个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM60030E_GE3 起订1600个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM60030E_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:165nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12000pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM60030E_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM60030E_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM60030E_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:165nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12000pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM60030E_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM60030E_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM60030E_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:165nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12000pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM60030E_GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM60030E_GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:375W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:165nC@10V

    输入电容:12nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM60030E_GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM60030E_GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:375W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:165nC@10V

    输入电容:12nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM60030E_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM60030E_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM60030E_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:165nC@10V

    输入电容:12000pF@25V

    导通电阻:3.2mΩ@30A,10V

    功率:375W

    连续漏极电流:120A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM60030E_GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM60030E_GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    栅极电荷:165nC@10V

    导通电阻:3.2mΩ@30A,10V

    类型:1个N沟道

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    阈值电压:3.5V@250μA

    功率:375W

    漏源电压:80V

    输入电容:12nF@25V

    连续漏极电流:120A

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