采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8001STLWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：6W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8894pF@50V
连续漏极电流：270A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0190N807L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：249nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19110pF@40V
连续漏极电流：270A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@34A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0190N807L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：249nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19110pF@40V
连续漏极电流：270A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@34A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0190N807L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：249nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19110pF@40V
连续漏极电流：270A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@34A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8001STLWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：6W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8894pF@50V
连续漏极电流：270A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0190N807L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：249nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19110pF@40V
连续漏极电流：270A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@34A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8001STLWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：6W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8894pF@50V
连续漏极电流：270A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8001STLWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：6W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：138nC@10V
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输入电容：8894pF@50V
连续漏极电流：270A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8001STLWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：6W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8894pF@50V
连续漏极电流：270A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0190N807L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：249nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19110pF@40V
连续漏极电流：270A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@34A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8001STLWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：6W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8894pF@50V
连续漏极电流：270A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8001STLWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：6W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8894pF@50V
连续漏极电流：270A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0190N807L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：249nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19110pF@40V
连续漏极电流：270A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@34A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8001STLWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：6W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8894pF@50V
连续漏极电流：270A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8001STLWQ-13
功率：6W€250W
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：80V
连续漏极电流：270A
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：1.7mΩ@30A，10V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：138nC@10V
输入电容：8894pF@50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8001STLWQ-13
功率：6W€250W
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：80V
连续漏极电流：270A
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：1.7mΩ@30A，10V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：138nC@10V
输入电容：8894pF@50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8001STLWQ-13
功率：6W€250W
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：80V
连续漏极电流：270A
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：1.7mΩ@30A，10V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：138nC@10V
输入电容：8894pF@50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0190N807L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：249nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19110pF@40V
连续漏极电流：270A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@34A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0190N807L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：249nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19110pF@40V
连续漏极电流：270A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@34A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0190N807L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：249nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19110pF@40V
连续漏极电流：270A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@34A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0190N807L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：249nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19110pF@40V
连续漏极电流：270A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@34A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
