品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75545S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:270W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:235nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75545S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:270W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:235nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75545P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:270W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:235nC@20V
包装方式:管件
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75545P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:270W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:235nC@20V
包装方式:管件
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75545P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:270W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:235nC@20V
包装方式:管件
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75545S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:270W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:235nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPG200N08
工作温度:-55℃~+175℃
功率:270W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:257nC@10V
输入电容:13.2nF@25V
连续漏极电流:200A
类型:1个N沟道
反向传输电容:810pF@25V
导通电阻:3.5mΩ@10V,50A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MD200N08
工作温度:-55℃~+175℃
功率:270W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:257nC@10V
输入电容:13.2nF@25V
连续漏极电流:200A
类型:1个N沟道
反向传输电容:810pF@25V
导通电阻:3.5mΩ@10V,50A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75545P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:270W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:235nC@20V
包装方式:管件
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MD200N08
工作温度:-55℃~+175℃
功率:270W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:257nC@10V
输入电容:13.2nF@25V
连续漏极电流:200A
类型:1个N沟道
反向传输电容:810pF@25V
导通电阻:3.5mΩ@10V,50A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75545S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:270W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:235nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75545P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:270W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:235nC@20V
包装方式:管件
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":71780,"18+":32950,"19+":25461,"23+":27000,"MI+":8000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN5R0-80PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:270W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6793pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75545P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:270W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:235nC@20V
包装方式:管件
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75545P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:270W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:235nC@20V
包装方式:管件
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75545S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:270W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:235nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75545S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:270W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:235nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75545P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:270W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:235nC@20V
包装方式:管件
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":748}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN5R0-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:270W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6793pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75545S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:270W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:235nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":200,"MI+":800}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75545P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:270W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:235nC@20V
包装方式:管件
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":71780,"18+":32950,"19+":25461,"23+":27000,"MI+":8000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN5R0-80PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:270W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6793pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":71780,"18+":32950,"19+":25461,"23+":27000,"MI+":8000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN5R0-80PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:270W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6793pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB3077
功率:270W
连续漏极电流:200A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5mΩ@10V,50A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75545P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:270W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:235nC@20V
包装方式:管件
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75545P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:270W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:235nC@20V
包装方式:管件
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):HUF75545S3ST
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:235nC@20V
导通电阻:10mΩ@75A,10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:75A
工作温度:-55℃~175℃
功率:270W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:3750pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
生产批次:{"18+":748}
规格型号(MPN):PSMN5R0-80BS,118
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:5.1mΩ@25A,10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
功率:270W
输入电容:6793pF@40V
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:101nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MD200N08
连续漏极电流:200A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5mΩ@10V,50A
漏源电压:80V
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:257nC@10V
反向传输电容:810pF@25V
功率:270W
工作温度:-55℃~+175℃
输入电容:13.2nF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):HUF75545P3
栅极电荷:235nC@20V
导通电阻:10mΩ@75A,10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:75A
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
功率:270W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:3750pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: