品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6362,"MI+":2300}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86381-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:48.4W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:866pF@40V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@25A,10V
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连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@25A,10V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86381-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:48.4W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@25A,10V
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规格型号(MPN):FDD86381-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:48.4W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:866pF@40V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
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行业应用:工业,汽车
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功率:48.4W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:866pF@40V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@25A,10V
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