采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJST2D6N08HTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5.3W€116W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4405pF@40V
连续漏极电流：28A€131.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJST2D6N08HTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5.3W€116W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4405pF@40V
连续漏极电流：28A€131.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJST2D6N08HTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5.3W€116W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4405pF@40V
连续漏极电流：28A€131.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMJST2D6N08HTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5.3W€116W
阈值电压：4V@250µA
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栅极电荷：68nC@10V
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输入电容：4405pF@40V
连续漏极电流：28A€131.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~175℃
功率：5.3W€116W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4405pF@40V
连续漏极电流：28A€131.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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