品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3510H
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@40V
连续漏极电流:4.3A€2.8A
类型:N和P沟道,共漏
导通电阻:80mΩ@4.3A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1600,"23+":27500}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3510H
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@40V
连续漏极电流:4.3A€2.8A
类型:N和P沟道,共漏
导通电阻:80mΩ@4.3A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1600,"23+":27500}
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规格型号(MPN):FDD3510H
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@40V
连续漏极电流:4.3A€2.8A
类型:N和P沟道,共漏
导通电阻:80mΩ@4.3A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3510H
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@40V
连续漏极电流:4.3A€2.8A
类型:N和P沟道,共漏
导通电阻:80mΩ@4.3A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDD3510H
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@40V
连续漏极电流:4.3A€2.8A
类型:N和P沟道,共漏
导通电阻:80mΩ@4.3A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDD3510H
导通电阻:80mΩ@4.3A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N和P沟道,共漏
漏源电压:80V
输入电容:800pF@40V
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.3A€2.8A
包装清单:商品主体 * 1
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