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    漏源电压: 80V
    阈值电压: 3.4V@250µA
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    AOS Mosfet场效应管 AON7280 起订2个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7280 起订2个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7280

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.3W€83W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@40V

    连续漏极电流:20A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR680DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR680DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR680DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5150pF@40V

    连续漏极电流:32.8A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD2810 起订5个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD2810 起订5个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD2810

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€100W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@40V

    连续漏极电流:10.5A€46A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19503KCS 起订50个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19503KCS 起订50个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19503KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2730pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.2mΩ@60A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7280 起订5个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7280 起订5个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7280

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.3W€83W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@40V

    连续漏极电流:20A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680DP-T1-RE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680DP-T1-RE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR680DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:81nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5150pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR680DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR680DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR680DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5150pF@40V

    连续漏极电流:32.8A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7280 起订25个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7280 起订25个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7280

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.3W€83W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@40V

    连续漏极电流:20A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680DP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680DP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR680DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5150pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7280 起订5个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7280 起订5个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7280

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.3W€83W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@40V

    连续漏极电流:20A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOB280L 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AOB280L 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOB280L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€333W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:224nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11135pF@40V

    连续漏极电流:20.5A€140A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOB280L 起订3个装
    AOS Mosfet场效应管 AOB280L 起订3个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOB280L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€333W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:224nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11135pF@40V

    连续漏极电流:20.5A€140A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOB280L 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AOB280L 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOB280L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€333W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:224nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11135pF@40V

    连续漏极电流:20.5A€140A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR680DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR680DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR680DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5150pF@40V

    连续漏极电流:32.8A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7280 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7280 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7280

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.3W€83W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@40V

    连续漏极电流:20A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR680DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR680DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR680DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5150pF@40V

    连续漏极电流:32.8A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680DP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680DP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR680DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5150pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR680DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR680DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR680DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5150pF@40V

    连续漏极电流:32.8A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19503KCS 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19503KCS 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19503KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2730pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.2mΩ@60A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR680DP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR680DP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR680DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5150pF@40V

    连续漏极电流:32.8A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7280 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7280 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7280

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.3W€83W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@40V

    连续漏极电流:20A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR680DP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR680DP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR680DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5150pF@40V

    连续漏极电流:32.8A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR680DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR680DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR680DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5150pF@40V

    连续漏极电流:32.8A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD2810 起订4个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD2810 起订4个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD2810

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€100W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@40V

    连续漏极电流:10.5A€46A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR680DP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR680DP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR680DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5150pF@40V

    连续漏极电流:32.8A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680DP-T1-RE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR680DP-T1-RE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR680DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:81nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5150pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR680DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR680DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR680DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5150pF@40V

    连续漏极电流:32.8A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR680DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR680DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR680DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5150pF@40V

    连续漏极电流:32.8A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR680DP-T1-RE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR680DP-T1-RE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR680DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5150pF@40V

    连续漏极电流:32.8A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7280 起订2个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7280 起订2个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7280

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.3W€83W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1871pF@40V

    连续漏极电流:20A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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