销售单位:个
规格型号(MPN):AON7280
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.3W€83W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@40V
连续漏极电流:20A€50A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR680DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5150pF@40V
连续漏极电流:32.8A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD2810
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€100W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@40V
连续漏极电流:10.5A€46A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19503KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2730pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:9.2mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7280
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.3W€83W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@40V
连续漏极电流:20A€50A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR680DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:81nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5150pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR680DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5150pF@40V
连续漏极电流:32.8A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7280
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.3W€83W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@40V
连续漏极电流:20A€50A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR680DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5150pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7280
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.3W€83W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@40V
连续漏极电流:20A€50A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB280L
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€333W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:224nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11135pF@40V
连续漏极电流:20.5A€140A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB280L
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€333W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:224nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11135pF@40V
连续漏极电流:20.5A€140A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB280L
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€333W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:224nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11135pF@40V
连续漏极电流:20.5A€140A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR680DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5150pF@40V
连续漏极电流:32.8A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7280
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.3W€83W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@40V
连续漏极电流:20A€50A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR680DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5150pF@40V
连续漏极电流:32.8A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR680DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5150pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR680DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5150pF@40V
连续漏极电流:32.8A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19503KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2730pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:9.2mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR680DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5150pF@40V
连续漏极电流:32.8A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7280
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.3W€83W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@40V
连续漏极电流:20A€50A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR680DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5150pF@40V
连续漏极电流:32.8A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR680DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5150pF@40V
连续漏极电流:32.8A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD2810
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€100W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@40V
连续漏极电流:10.5A€46A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR680DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5150pF@40V
连续漏极电流:32.8A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR680DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:81nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5150pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR680DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5150pF@40V
连续漏极电流:32.8A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR680DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5150pF@40V
连续漏极电流:32.8A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR680DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5150pF@40V
连续漏极电流:32.8A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: