品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86310
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6290pF@40V
连续漏极电流:17A€50A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@17A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86310
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6290pF@40V
连续漏极电流:17A€50A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@17A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB120N08S404ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:4V@120µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6450pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":7472,"22+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP120N08S404AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6450pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":7472,"22+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP120N08S404AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6450pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":840,"22+":8293,"23+":22000,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB120N08S404ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6450pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":840,"22+":8293,"23+":22000,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB120N08S404ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6450pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB120N08S404ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:4V@120µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6450pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":7472,"22+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP120N08S404AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6450pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86310
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6290pF@40V
连续漏极电流:17A€50A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@17A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86310
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6290pF@40V
连续漏极电流:17A€50A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@17A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB120N08S404ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:4V@120µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6450pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86310
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6290pF@40V
连续漏极电流:17A€50A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@17A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86310
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6290pF@40V
连续漏极电流:17A€50A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@17A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":7472,"22+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP120N08S404AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6450pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86310
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6290pF@40V
连续漏极电流:17A€50A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@17A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":840,"22+":8293,"23+":22000,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB120N08S404ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6450pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86310
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6290pF@40V
连续漏极电流:17A€50A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@17A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":840,"22+":8293,"23+":22000,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB120N08S404ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6450pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB120N08S404ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:4V@120µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6450pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":7472,"22+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP120N08S404AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6450pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":840,"22+":8293,"23+":22000,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB120N08S404ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:4V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6450pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86310
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6290pF@40V
连续漏极电流:17A€50A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@17A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86310
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6290pF@40V
连续漏极电流:17A€50A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@17A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86310
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6290pF@40V
连续漏极电流:17A€50A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@17A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86310
阈值电压:4.5V@250µA
连续漏极电流:17A€50A
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4.8mΩ@17A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:2.5W€96W
栅极电荷:95nC@10V
输入电容:6290pF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"19+":840,"22+":8293,"23+":22000,"MI+":1000}
规格型号(MPN):IPB120N08S404ATMA1
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:179W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:95nC@10V
导通电阻:4.1mΩ@100A,10V
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
阈值电压:4V@120µA
输入电容:6450pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86310
阈值电压:4.5V@250µA
连续漏极电流:17A€50A
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4.8mΩ@17A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:2.5W€96W
栅极电荷:95nC@10V
输入电容:6290pF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86310
阈值电压:4.5V@250µA
连续漏极电流:17A€50A
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4.8mΩ@17A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:2.5W€96W
栅极电荷:95nC@10V
输入电容:6290pF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":7472,"22+":10000}
规格型号(MPN):IPP120N08S404AKSA1
导通电阻:4.4mΩ@100A,10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:179W
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
栅极电荷:95nC@10V
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
阈值电压:4V@120µA
输入电容:6450pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: