采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H824NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：20A€110A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H824NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：20A€110A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6284A
工作温度：-55℃~150℃
功率：56W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2540pF@40V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6284A
工作温度：-55℃~150℃
功率：56W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2540pF@40V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H824NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：20A€110A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H824NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：20A€110A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R7-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3346pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H824NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：20A€110A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H824NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：20A€110A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R7-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3346pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H824NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：20A€110A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H824NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：20A€110A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H824NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：20A€110A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R7-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3346pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R7-80PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3346pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R7-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3346pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H824NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：20A€110A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R7-80PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3346pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R7-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3346pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H824NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：20A€110A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R7-80PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3346pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R7-80PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3346pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R7-80PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3346pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H824NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：20A€110A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H824NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：20A€110A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R7-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3346pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R7-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3346pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R7-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3346pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H824NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：20A€110A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H824NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@140µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：20A€110A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
