销售单位：个

规格型号(MPN)：SQ2337ES-T1_BE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：3W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：18nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：620pF@40V

连续漏极电流：2.2A

类型：P沟道

导通电阻：290mΩ@1.2A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJ481EP-T1_GE3

工作温度：-55°C~175°C（TJ）

功率：45W（Tc）

阈值电压：2.5V @ 250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：50 nC @ 10 V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2000 pF @ 25 V

连续漏极电流：16A（Tc）

类型：P 通道

导通电阻：80 毫欧 @ 10A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI2387DS-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：1.3W€2.5W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：10.2nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：395pF@40V

连续漏极电流：2.1A€3A

类型：P沟道

导通电阻：164mΩ@2.1A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR5802DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：6.25W€104W

阈值电压：4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：60nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3020pF@40V

连续漏极电流：33.6A€137.5A

类型：N沟道

导通电阻：2.9mΩ@20A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJA86EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：48W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：32nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1400pF@25V

连续漏极电流：30A

类型：N沟道

导通电阻：19mΩ@8A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJA86EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：48W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：32nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1400pF@25V

连续漏极电流：30A

类型：N沟道

导通电阻：19mΩ@8A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7852DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：1.9W

阈值电压：2V@250µA

栅极电荷：41nC@10V

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：7.6A

类型：N沟道

导通电阻：16.5mΩ@10A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQA600CEJW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：13.6W

阈值电压：2.5V@250μA

栅极电荷：9nC@10V

输入电容：540pF@25V

连续漏极电流：9A

类型：1个N沟道

导通电阻：54.6mΩ@3A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI3476DV-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：2W€3.6W

阈值电压：3V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：7.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：195pF@40V

连续漏极电流：4.6A

类型：N沟道

导通电阻：93mΩ@3.5A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR826BDP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83W

阈值电压：2V

栅极电荷：69nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80.8A

类型：MOSFET

导通电阻：5.1mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI4896DY-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：1.56W

阈值电压：2V@250µA

栅极电荷：41nC@10V

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：6.7A

类型：N沟道

导通电阻：16.5mΩ@10A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：1.1V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.1nC€13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24.7A€24.6A

类型：MOSFET

导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJ481EP-T1_GE3

工作温度：-55°C~175°C（TJ）

功率：45W（Tc）

阈值电压：2.5V @ 250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：50 nC @ 10 V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2000 pF @ 25 V

连续漏极电流：16A（Tc）

类型：P 通道

导通电阻：80 毫欧 @ 10A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI2387DS-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：1.3W€2.5W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：10.2nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：395pF@40V

连续漏极电流：2.1A€3A

类型：P沟道

导通电阻：164mΩ@2.1A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJQ186ER-T1_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：600W

阈值电压：3.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：185nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10552pF@25V

连续漏极电流：329A

类型：N沟道

导通电阻：2.3mΩ@20A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJ469EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：100W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：155nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5100pF@40V

连续漏极电流：32A

类型：P沟道

导通电阻：25mΩ@10.2A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS32ADN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：5W€65.7W

阈值电压：3.6V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：36nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1520pF@40V

类型：N沟道

导通电阻：7.3mΩ@10A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR680ADP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：6.25W€104W

阈值电压：3.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：83nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4415pF@40V

连续漏极电流：30.7A€125A

类型：N沟道

导通电阻：2.88mΩ@20A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI2337DS-T1-BE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：760mW€2.5W

阈值电压：4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：17nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：500pF@40V

连续漏极电流：1.2A€2.2A

类型：P沟道

导通电阻：270mΩ@1.2A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS32ADN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：5W€65.7W

阈值电压：3.6V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：36nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1520pF@40V

类型：N沟道

导通电阻：7.3mΩ@10A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR880ADP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：5.4W€83W

阈值电压：3V@250µA

栅极电荷：72nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2289pF@40V

连续漏极电流：60A

类型：N沟道

导通电阻：6.3mΩ@20A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR124DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：5W€62.5W

阈值电压：3.8V@250µA

栅极电荷：40nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1666pF@40V

类型：N沟道

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI2387DS-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：1.3W€2.5W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：10.2nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：395pF@40V

连续漏极电流：2.1A€3A

类型：P沟道

导通电阻：164mΩ@2.1A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7469DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：5.2W€83.3W

阈值电压：3V@250µA

栅极电荷：160nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4700pF@40V

连续漏极电流：28A

类型：P沟道

导通电阻：25mΩ@10.2A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQSA80ENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：62.5W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：21nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1358pF@40V

连续漏极电流：18A

类型：N沟道

导通电阻：21mΩ@10A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJ469EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：100W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：155nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5100pF@40V

连续漏极电流：32A

类型：P沟道

导通电阻：25mΩ@10.2A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJ481EP-T1_BE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：45W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：50nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2000pF@25V

连续漏极电流：16A

类型：P沟道

导通电阻：80mΩ@10A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI3476DV-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：2W€3.6W

阈值电压：3V@250µA

栅极电荷：7.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：195pF@40V

连续漏极电流：4.6A

类型：N沟道

导通电阻：93mΩ@3.5A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS32ADN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：5W€65.7W

阈值电压：3.6V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：36nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1520pF@40V

类型：N沟道

导通电阻：7.3mΩ@10A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR5802DP-T1-RE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：6.25W€104W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：60nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3020pF@40V

连续漏极电流：33.6A€137.5A

类型：N沟道

导通电阻：2.9mΩ@20A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1