采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R5-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：210W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4461pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ482DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€69.4W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2425pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS4D5N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€113.6W
阈值电压：2.5V@210µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：17A€116A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@37A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R5-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：210W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4461pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS4D5N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€113.6W
阈值电压：2.5V@210µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：17A€116A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@37A，10V
漏源电压：80V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ482DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€69.4W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2425pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS4D5N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€113.6W
阈值电压：2.5V@210µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：17A€116A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@37A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMS4D5N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€113.6W
阈值电压：2.5V@210µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：17A€116A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@37A，10V
漏源电压：80V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS4D5N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€113.6W
阈值电压：2.5V@210µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：17A€116A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@37A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS4D5N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€113.6W
阈值电压：2.5V@210µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：17A€116A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@37A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMS4D5N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€113.6W
阈值电压：2.5V@210µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：17A€116A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@37A，10V
漏源电压：80V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R5-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：210W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4461pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS4D5N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€113.6W
阈值电压：2.5V@210µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：17A€116A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@37A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
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规格型号(MPN)：PSMN6R5-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：210W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4461pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS4D5N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€113.6W
阈值电压：2.5V@210µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：17A€116A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@37A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS4D5N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€113.6W
阈值电压：2.5V@210µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：17A€116A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@37A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R5-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：210W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4461pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS4D5N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€113.6W
阈值电压：2.5V@210µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：17A€116A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@37A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R5-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：210W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4461pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R5-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：210W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4461pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ482DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€69.4W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2425pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS4D5N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€113.6W
阈值电压：2.5V@210µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：17A€116A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@37A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R5-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：210W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4461pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ482DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€69.4W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2425pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R5-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：210W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4461pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ482DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€69.4W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2425pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R5-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：210W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4461pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R5-80BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：210W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4461pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS4D5N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€113.6W
阈值电压：2.5V@210µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：17A€116A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@37A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS4D5N08LC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€113.6W
阈值电压：2.5V@210µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：17A€116A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@37A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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