品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA600CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:9nC@10V
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:54.6mΩ@3A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB017N08N5
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
阈值电压:2.2V
栅极电荷:223nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:120A
类型:MOSFET
导通电阻:1.5mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ182EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:395W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:96nC@10V
输入电容:5.392nF@25V
连续漏极电流:210A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2800,"22+":1000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP040N08NF2SAKMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W€3.8W
阈值电压:3.8V@85μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3.8nF@40V
连续漏极电流:22A€115A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R2-80YSEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8nF@40V
连续漏极电流:170A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6D1N08HT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.8W€104W
阈值电压:4V@120μA
栅极电荷:32nC@10V
输入电容:2.085nF@40V
连续漏极电流:17A€89A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP040N08NF2SAKMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W€3.8W
阈值电压:3.8V@85μA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3.8nF@40V
连续漏极电流:22A€115A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH84M1SPSQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4.209nF@40V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ182EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:395W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:96nC@10V
输入电容:5.392nF@25V
连续漏极电流:210A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:237.5W
阈值电压:2.9V@479μA
栅极电荷:121nC@10V
输入电容:7.675nF@40V
连续漏极电流:241.3A
类型:1个N沟道
反向传输电容:41pF@40V
导通电阻:1.29mΩ@10V,80A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:200W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:150nC@10V
输入电容:9.13nF@40V
连续漏极电流:110A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ@10V,55A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ182EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:395W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:96nC@10V
输入电容:5.392nF@25V
连续漏极电流:210A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ182EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:395W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:96nC@10V
输入电容:5.392nF@25V
连续漏极电流:210A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ184ER-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:600W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:240nC@10V
输入电容:16.009nF@25V
连续漏极电流:430A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8008LFGQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:50W€1.2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.254nF@40V
连续漏极电流:70A€17A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DIT120N08
工作温度:-55℃~+175℃
功率:220W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:163nC@10V
输入电容:6.5nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@40A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA84CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:27W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.1nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:16A
类型:MOSFET
导通电阻:32mΩ€37mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT019N08N5ATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:231W
阈值电压:3.8V
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:247A
类型:MOSFET
导通电阻:1.9mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT019N08N5ATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:231W
阈值电压:3.8V
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:247A
类型:MOSFET
导通电阻:1.9mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPG200N08
工作温度:-55℃~+175℃
功率:270W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:257nC@10V
输入电容:13.2nF@25V
连续漏极电流:200A
类型:1个N沟道
反向传输电容:810pF@25V
导通电阻:3.5mΩ@10V,50A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NWFTAG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:46W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:33A
类型:MOSFET
导通电阻:21.1mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPG90N08P
工作温度:-55℃~+175℃
功率:147W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:85nC@10V
输入电容:3.95nF@25V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
反向传输电容:210pF@25V
导通电阻:9mΩ@10V,35A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5163,"23+":9046}
包装规格(MPQ):2000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT019N08N5ATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:231W
阈值电压:3.8V
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:247A
类型:MOSFET
导通电阻:1.9mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: