品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2420pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:12.9mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK46E08N1,S1X
工作温度:150℃
功率:103W
阈值电压:4V@500µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@23A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2420pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:12.9mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2420pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:12.9mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2420pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:12.9mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK46E08N1,S1X
工作温度:150℃
功率:103W
阈值电压:4V@500µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@23A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
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输入电容:2420pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:12.9mΩ@15A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2420pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:12.9mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2420pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:12.9mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2420pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:12.9mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2420pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:12.9mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2420pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:12.9mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2420pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:12.9mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK46E08N1,S1X
工作温度:150℃
功率:103W
阈值电压:4V@500µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@23A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK46E08N1,S1X
工作温度:150℃
功率:103W
阈值电压:4V@500µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@23A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK46E08N1,S1X
工作温度:150℃
功率:103W
阈值电压:4V@500µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@23A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK46E08N1,S1X
工作温度:150℃
功率:103W
阈值电压:4V@500µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@23A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2420pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:12.9mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK46E08N1,S1X
工作温度:150℃
功率:103W
阈值电压:4V@500µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@23A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
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