采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR826BDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：2V
栅极电荷：69nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：80.8A
类型：MOSFET
导通电阻：5.1mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.1nC€13.3nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：24.7A€24.6A
类型：MOSFET
导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3590
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.18nF@40V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：39mΩ@6.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS30DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：57W€4.8W
阈值电压：3.8V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：1.666nF@10V
连续漏极电流：15.9A€54.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.25mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR826BDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：2V
栅极电荷：69nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：80.8A
类型：MOSFET
导通电阻：5.1mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR826BDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：2V
栅极电荷：69nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：80.8A
类型：MOSFET
导通电阻：5.1mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCACL110N08Y-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.29nF@40V
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9mΩ@55A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC100N08YA-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：152W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.32nF@40V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ0602NLSATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W€60W
阈值电压：2.3V@29μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.86nF@40V
连续漏极电流：64A€12A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.8mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：1.1V
栅极电荷：13.1nC€13.3nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：24.7A€24.6A
类型：MOSFET
导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC004N08MC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：51W€127W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：43.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.98nF@40V
连续漏极电流：86A€136A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC100N08YA-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：152W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.32nF@40V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.7V@250μA
栅极电荷：7.2nC@10V
输入电容：215pF@40V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：230mΩ@1.9A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：1.1V
栅极电荷：13.1nC€13.3nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：24.7A€24.6A
类型：MOSFET
导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ260DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.1nC€13.3nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：24.7A€24.6A
类型：MOSFET
导通电阻：24.5mΩ€24.7mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCACL110N08Y-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.29nF@40V
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9mΩ@55A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCACL110N08Y-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.29nF@40V
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9mΩ@55A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC004N08MC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：51W€127W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.98nF@40V
连续漏极电流：86A€136A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3590
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.18nF@40V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：39mΩ@6.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC004N08MC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：51W€127W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.98nF@40V
连续漏极电流：86A€136A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA108DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：545pF@40V
连续漏极电流：6.6A€12A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR588DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：59.5W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.7nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：59.5A
类型：MOSFET
导通电阻：7.2mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR588DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：59.5W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.7nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：59.5A
类型：MOSFET
导通电阻：7.2mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR588DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：59.5W
阈值电压：4V
栅极电荷：18.7nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：59.5A
类型：MOSFET
导通电阻：7.2mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT700P08T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：75nC@10V
输入电容：1.639nF@40V
连续漏极电流：25A
类型：1个P沟道
导通电阻：58mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS128LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.25nF@40V
连续漏极电流：10.2A€33.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.6mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR588DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：59.5W
阈值电压：4V
栅极电荷：18.7nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：59.5A
类型：MOSFET
导通电阻：7.2mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPT180N08
工作温度：-55℃~+150℃
功率：208.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：124nC@10V
输入电容：6.234nF@42.5V
连续漏极电流：185A
类型：1个N沟道
反向传输电容：97pF@42.5V
导通电阻：3mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR588DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：59.5W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.7nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：59.5A
类型：MOSFET
导通电阻：7.2mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC004N08MC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：51W€127W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：43.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.98nF@40V
连续漏极电流：86A€136A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
